טרנזיסטור ביפולרי

מתוך ויקיפדיה, האנציקלופדיה החופשית
קפיצה אל: ניווט, חיפוש
BJT PNP symbol (case).svg PNP
BJT NPN symbol (case).svg NPN
סימון טרנזיסטור ביפולרי

טרנזיסטור ביפולרי או טרנזיסטור דו נושאיאנגלית: bipolar junction transistor, בראשי תיבות: BJT) הוא טרנזיסטור העושה שימוש הן בזרם של אלקטרונים והן בזרם של חורים. הטרנזיסטור הביפולרי הוא רכיב אלקטרוני בעל שלושה הדקים העשוי מוליך למחצה מאולח ויכול לשמש כמגבר או כמתג.

אופן הפעולה[עריכת קוד מקור | עריכה]

טרנזיסטור NPN
טרנזיסטור ביפולרי

הטרנזיסטור הביפולרי מורכב משני צמתי PN: בטרנזיסטור NPN, מוליך למחצה מסוג n בא במגע עם מוליך למחצה מסוג p, שבא במגע עם מוליך למחצה נוסף מסוג n. בטרנזיסטור PNP סוגי האילוח הפוכים. ניתן להתייחס למבנה זה כשתי דיודות המחוברות גב אל גב כך שיש להן אנודה משותפת. ריכוז האילוח באחד מאזורי ה-n גדול ביחס לאחר. הצד המאולח יותר נקרא הפולט (באנגלית: emitter, מסומן E), והצד המאולח פחות נקרא הקולט (באנגלית: collector, מסומן C). אזור ה-p ביניהם נקרא הבסיס (באנגלית: base, מסומן B).

כאשר המתח החשמלי בין הבסיס לפולט חיובי (כלומר הפוטנציאל החשמלי בבסיס גדול מזה שבפולט) והמתח בין הקולט לבסיס חיובי גם הוא, אלקטרונים מהפולט מפעפעים דרך אזור המחסור לעבר הבסיס ומשם נסחפים דרך אזור המחסור הנוסף לקולט כתוצאה מכוח חשמלי. אם המתח בין הקולט לבסיס גדול מספיק, זרם האלקטרונים מהפולט לקולט נקבע רק על ידי המתח בין הבסיס לפולט, שקובע את גרדיאנט ריכוזם בבסיס, בהתאם לחוק הדיפוזיה של פיק. במצב כזה ניתן לראות בזרם הנכנס לבסיס זרם בקרה, הקובע את גודל הזרם הזורם מהקולט לפולט ללא תלות במתח ביניהם. היחס בין זרם הפולט לזרם הבסיס בקירוב קבוע והוא מסומן \beta_F. בטרנזיסטור PNP, כיוון הזרם הוא מהפולט לקולט. לפי חוק הזרמים של קירכהוף:

I_E = I_B + I_C

הגברי הזרם מקיימים את היחסים הבאים:

\alpha_T = \frac{I_{\text{C}}}{I_{\text{E}}}
\beta_F = \frac{I_{\text{C}}}{I_{\text{B}}}
\beta_F = \frac{\alpha_{T}}{1 - \alpha_{T}}\iff \alpha_{T} = \frac{\beta_F}{\beta_F+1}

מצבי פעולה[עריכת קוד מקור | עריכה]

לטרנזיסטור ביפולרי ארבעה מצבי פעולה:

  • פעיל קדמי: במצב זה הפוטנציאל בקולט גדול מזה של הבסיס, והפוטנציאל בבסיס גדול מזה של הפולט. במצב זה הזרם בין הקולט לפולט עומד ביחס ישר לזרם הבסיס, כאשר קבוע הפרופורציה \beta_F אופייני הוא מסדר גודל של 100.
  • רוויה: במצב זה הפוטנציאל בבסיס גדול מזה שבפולט, אך המתח בין הקולט לבסיס אינו גדול מספיק על מנת לאפשר לכל האלקטרונים להיסחף מהבסיס לקולט. במצב כזה הזרם תלוי במתח בין הקולט לבסיס באופן לינארי בקירוב.
  • קטעון: אם הפוטנציאל בבסיס נמוך מזה שבפולט, לא יוכל לזרום זרם מהקולט לפולט על אף שהפוטנציאל בקולט גדול מזה שבבסיס ומזה שבפולט. מצב זה מדמה נתק במעגל.
  • פעיל אחורי: מאחר שההבדל היחיד בין הקולט לפולט הוא ריכוז האילוח שלהם, במקרה שפוטנציאל הבסיס קטן מזה של הפולט ופוטנציאל הקולט קטן מזה של הבסיס, הטרנזיסטור פועל באופן דומה למצב פעיל קדמי אולם תפקידי הקולט והפולט מתהפכים. כתוצאה מכך שריכוזי האילוח הפוכים, הגבר הזרם \beta_F במצב פעולה זה קטן מזה של המצב הפעיל קדמי, והשימוש בו במעגלים חשמליים אינו נפוץ.

אופיין[עריכת קוד מקור | עריכה]

מודל אברס-מול לטרנזיסטור NPN

מודל אברס-מול (Ebers–Moll) נותן משוואות המקשרות בין המתחים והזרמים השונים בטרנזיסטור ביפולרי:

 I_{\text{C}} = I_{\text{S}}\left(e^{\frac{V_{\text{BE}}}{V_{\text{T}}}} - e^{\frac{V_{\text{BC}}}{V_{\text{T}}}}\right) - \frac{I_{\text{S}}}{\beta_R}\left(e^{\frac{V_{\text{BC}}}{V_{\text{T}}}} - 1\right)
 I_{\text{B}} = \frac{I_{\text{S}}}{\beta_F}\left(e^{\frac{V_{\text{BE}}}{V_{\text{T}}}} - 1\right) + \frac{I_{\text{S}}}{\beta_R}\left(e^{\frac{V_{\text{BC}}}{V_{\text{T}}}} - 1\right)
 I_{\text{E}} = I_{\text{S}}\left(e^{\frac{V_{\text{BE}}}{V_{\text{T}}}} - e^{\frac{V_{\text{BC}}}{V_{\text{T}}}}\right) + \frac{I_{\text{S}}}{\beta_F}\left(e^{\frac{V_{\text{BE}}}{V_{\text{T}}}} - 1\right)

כאשר: I_{\text{C}} זרם הקולט, I_{\text{B}} זרם הבסיס, I_{\text{E}} זרם הפולט, \beta_F הגבר הזרם הקדמי (20 עד 500), \beta_R הגבר הזרם האחורי (0 עד 20), I_{\text{S}} זרם הרוויה האחורי (בסדר גודל של 10−15 עד 10−12 אמפר), V_{\text{BE}} המתח בין הבסיס לפולט, V_{\text{BC}} המתח בין הבסיס לקולט, ו-V_{\text{T}} המתח התרמי (בקירוב mV‏26 בטמפרטורה של 300 קלווין, טמפרטורת החדר), המוגדר:

\ V_T  =  { k_B T \over q }

כאשר k_B קבוע בולצמן, T הטמפרטורה (בקלווין) ו-q מטען האלקטרון.

לקריאה נוספת[עריכת קוד מקור | עריכה]

  • A.S. Sedra, K.C. Smith, Microelectronic Circuits, New York: Oxford, 2004