טרנזיסטור IGBT

מתוך ויקיפדיה, האנציקלופדיה החופשית
קפיצה אל: ניווט, חיפוש

טרנזיסטור IGBT (אנגלית: Insulated Gate Bipolar Transistor) הוא סוג של טרנזיסטור שבו שילוב תכונות של טרנזיסטור MOSFET וטרנזיסטור BJT. הדבר מושג על ידי שילוב של שער אפקט שדה וטרנזיסטור הספק ביפולארי, המשמש כמפסק, בהתקן יחיד. טרנזיסטורים מסוג זה משמשים בעיקר ביישומי אספקת כוח ובקרת מנועים חשמליים.

טרנזיסטור ה-IGBT הוא המצאה חדשה יחסית. הדור הראשון של התקנים אלו הופיע בשנות השמונים ותחילת שנות התשעים של המאה העשרים. זמן המיתוג של התקנים אלו היה ארוך יחסית והם נטו לסבול מתקלות כמו "היתפסות" מתח וכשלים הנובעים מחום. התקנים מהדור השני היו אמינים יותר, והתקני הדור השלישי מהווים שיפור ניכר כאשר לאחרונים זמני מיתוג דומים לאלה של טרנזיסטורי MOSFET, אמינות מצוינת ועמידות טובה לעומס יתר.

התקני IGBT מהדור השלישי מתאימים גם ליצירה של פולסים חשמליים חזקים בתחומי כמו פיזיקת חלקיקים ופלזמה, כשהם מחליפים בהדרגה טכנולוגיות ישנות יותר. הואיל ומחירי ההתקנים מסוג זה נמוכים יחסית, גם חובבים עושים בהם שימוש בניסויים כמו סליל טסלה, הדורשים הספקים גדולים בתדר גבוה.

יישום נוסף שהתאפשר בזכות תפוצתם הרחבה של טרנזיסטורי IGBT הוא כלי רכב חשמליים. הדגם ההיברידי פריוס מתוצרת חברת טויוטה עושה שימוש בממיר חשמלי בהספק של 50 קילוואט המבוסס על טרנזיסטורי IGBT ליצירת המתח הדרוש למנוע החשמלי של המכונית.

Stub comp.png ערך זה הוא קצרמר בנושא טכנולוגיה. אתם מוזמנים לתרום לוויקיפדיה ולהרחיב אותו.