ננוליתוגרפיה

מתוך ויקיפדיה, האנציקלופדיה החופשית
קפיצה אל: ניווט, חיפוש

ננוליתוגרפיה (אנגלית: Nanolithography) מתייחסת למכלול שיטות ייצור בתחום המיקרואלקטרוניקה והמיקרומכניקה המאפשרת ייצור סדרתי של מבנים בגדלים ננומטרים, משמע שאחד מממדיהם קטן מ-100 ננומטר. ננוליתוגרפיה נפוצה בייצור שבבים מוליכים למחצה ומעגלים מודפסים.

השיטה השולטת כיום בתעשיית המוליכים למחצה לייצור היא פוטוליתוגרפיה. כיום שיטה זו מאפשרת הגעה לרזולוציה של 32 ננומטר. הקרנה באור מאפשרת להגיע לרזולוציה מיטבית של 1/2 אורך גל, מה שמחייב שימוש בלייזרים באורכי גל אולטרה-סגולים ושיפור הרזולוציה מייקר מאוד את המערכת. רוב המומחים בתחום מאמינים כי בשיטה זו לא ניתן יהיה להגיע למערכת מסחרית לייצור ברזולוציה מתחת ל-22 ננומטר.

הטכנולוגיות שעתידות להחליף את הפוטוליתוגרפיה ולאפשר שיפור של הרזולוציה נקראות בשם הכולל "ליתוגרפיית הדור הבא" (Next-generation Lithography או NGL) ביניהן ניתן למנות את השיטות המובילות הבאות:

  • ליתוגרפיית קרני-X: בדומה לפוטוליתוגרפיה אך תוך שימוש בקרני-X שאורך הגל שלהן הוא באורך של ננומטר.
  • ליתוגרפיה אולטרה-סגולה קיצונית (Extreme Ultraviolet Lithography או EUV): בדומה לפוטוליתוגרפיה תוך שימוש באורך גל קצר במיוחד של כ-13 ננומטר.
  • ליתוגרפיה של הטבעה ננומטרית (Nanoimprint Lithography או NIL): שימוש בתבנית עם מבנה ננומטרי שמשמשת להטבעת המבנה על חומר רך בלחץ.


ראו גם[עריכת קוד מקור | עריכה]

Stub comp.png ערך זה הוא קצרמר בנושא טכנולוגיה. אתם מוזמנים לתרום לוויקיפדיה ולהרחיב אותו.