וולטר בראטיין – הבדלי גרסאות

מתוך ויקיפדיה, האנציקלופדיה החופשית
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
מ הגהה
אין תקציר עריכה
שורה 12: שורה 12:
|הערות=
|הערות=
}}
}}
'''וולטר האוזר בראטיין''' (ב[[אנגלית]]:'''Walter Houser Brattain''';{{כ}} [[10 בפברואר]] [[1902]], [[שיאמן]], [[פוג'יין]]{{הערה|שם=נובל|{{קישור כללי|כתובת=https://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/brattain-bio.html|כותרת=Walter H. Brattain - Biographical|אתר=באתר [[פרס נובל]]|שפה=אנגלית|תאריך_וידוא=8 בפברואר 2017}}}} - [[13 באוקטובר]] [[1987]], [[סיאטל]], [[וושינגטון (מדינה)|וושינגטון]]{{הערה|שם=ממואר|{{קישור כללי|הכותב=[[ג'ון ברדין]]|כתובת=http://www.nasonline.org/publications/biographical-memoirs/memoir-pdfs/brattain-walter-h.pdf|כותרת=Walter houser Brattain|אתר=באתר [[האקדמיה הלאומית למדעים (ארצות הברית)|האקדמיה הלאומית למדעים]]|שפה=אנגלית|תאריך_וידוא=8 בפברואר 2017}}}}) היה [[פיזיקאי]] [[פיזיקה יישומית|יישומי]]{{הערה|שם=הידען|{{הידען|רויטל חליף|הרְכיב ששינה הכול|history-of-the-transistor-0512141|5 בדצמבר 2014}}}} אשר עבד ב[[מעבדות נוקיה בל|מעבדות בל]], שם המציא יחד עם [[ג'ון ברדין]] את [[טרנזיסטור מגע נקודתי|טרנזיסטור המגע הנקודתי]] {{אנ|Point-contact transistor}}, ה[[טרנזיסטור]] הראשון, ב[[דצמבר]] [[1947]]{{הערה|שם=נובל}}{{הערה|שם=הידען}}{{הערה|שם=מטח|{{מטח||מעבדות בל|9428|}}}}.
'''וולטר האוזר בראטיין''' (ב[[אנגלית]]:'''Walter Houser Brattain''';{{כ}} [[10 בפברואר]] [[1902]], [[שיאמן]], [[פוג'יין]]{{הערה|שם=נובל|{{ביו-נובל}}.}} - [[13 באוקטובר]] [[1987]], [[סיאטל]], [[וושינגטון (מדינה)|וושינגטון]]{{הערה|שם=ממואר|{{קישור כללי|הכותב=[[ג'ון ברדין]]|כתובת=http://www.nasonline.org/publications/biographical-memoirs/memoir-pdfs/brattain-walter-h.pdf|כותרת=Walter houser Brattain|אתר=באתר [[האקדמיה הלאומית למדעים (ארצות הברית)|האקדמיה הלאומית למדעים]]|שפה=אנגלית|תאריך_וידוא=8 בפברואר 2017}}}}) היה [[פיזיקאי]] [[פיזיקה יישומית|יישומי]]{{הערה|שם=הידען|{{הידען|רויטל חליף|הרְכיב ששינה הכול|history-of-the-transistor-0512141|5 בדצמבר 2014}}}} אשר עבד ב[[מעבדות נוקיה בל|מעבדות בל]], שם המציא יחד עם [[ג'ון ברדין]] את [[טרנזיסטור מגע נקודתי|טרנזיסטור המגע הנקודתי]] {{אנ|Point-contact transistor}}, ה[[טרנזיסטור]] הראשון, ב[[דצמבר]] [[1947]]{{הערה|שם=נובל}}{{הערה|שם=הידען}}{{הערה|שם=מטח|{{מטח||מעבדות בל|9428|}}}}.


בשנת [[1956]] זכה בראטיין יחד עם ג'ון ברדין ו[[ויליאם שוקלי]] ב[[פרס נובל לפיזיקה]] על מחקריהם ב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] ועל גילוי אפקט ה[[טרנזיסטור]]{{הערה|שם=עושים היסטוריה|{{עושים היסטוריה 1|'''משה של עמק הסיליקון''' - על וויליאם שוקלי, וההיסטוריה של הטרנזיסטור|2012/09/06|ep116_history_of_the_transistor}}}}.
בשנת [[1956]] זכה בראטיין יחד עם ג'ון ברדין ו[[ויליאם שוקלי]] ב[[פרס נובל לפיזיקה]] על מחקריהם ב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] ועל גילוי אפקט ה[[טרנזיסטור]]{{הערה|שם=עושים היסטוריה|{{עושים היסטוריה 1|'''משה של עמק הסיליקון''' - על וויליאם שוקלי, וההיסטוריה של הטרנזיסטור|2012/09/06|ep116_history_of_the_transistor}}}}.

גרסה מ־17:16, 10 בפברואר 2017


שגיאות פרמטריות בתבנית:מדען

פרמטרים [ פרסים והנצחה, ארצות מגורים ] לא מופיעים בהגדרת התבנית

וולטר האוזר בראטיין
Walter Houser Brattain
בראטיין, 1956
בראטיין, 1956
לידה 10 בפברואר 1902
שיאמן, Fujian, שושלת צ'ינג עריכת הנתון בוויקינתונים
פטירה 13 באוקטובר 1987 (בגיל 85)
סיאטל, ארצות הברית עריכת הנתון בוויקינתונים
ענף מדעי פיזיקה, הנדסת חשמל
מקום לימודים
מנחה לדוקטורט John Torrence Tate, Sr. עריכת הנתון בוויקינתונים
מוסדות קולג' ויטמן עריכת הנתון בוויקינתונים
פרסים והוקרה
בן או בת זוג Keren Gilmore Brattain
Emma Jane Miller עריכת הנתון בוויקינתונים
תרומות עיקריות
המצאת הטרנזיסטור
לעריכה בוויקינתונים שמשמש מקור לחלק מהמידע בתבנית

וולטר האוזר בראטייןאנגלית:Walter Houser Brattain;‏ 10 בפברואר 1902, שיאמן, פוג'יין[1] - 13 באוקטובר 1987, סיאטל, וושינגטון[2]) היה פיזיקאי יישומי[3] אשר עבד במעבדות בל, שם המציא יחד עם ג'ון ברדין את טרנזיסטור המגע הנקודתי (אנ'), הטרנזיסטור הראשון, בדצמבר 1947[1][3][4].

בשנת 1956 זכה בראטיין יחד עם ג'ון ברדין וויליאם שוקלי בפרס נובל לפיזיקה על מחקריהם במוליכים למחצה ועל גילוי אפקט הטרנזיסטור[5].

ביוגרפיה

בראטיין נולד ב-10 בפברואר 1902 באמוי (כיום שיאמן), פוג'יין להורים אמריקנים, רוס בראטיין ואוטילי בראטיין[1][2]. בשנת 1903 חזרו לוושינגטון ובשנת 1911 עברו לגור בחווה, ועבדו בה[2].

ב-1924 קיבל תואר ראשון דו-חוגי בפיזיקה ובמתמטיקה מקולג' ויטמן (אנ') בוואלה וואלה (אנ'), וושינגטון[6].

ב-1926 קיבל תואר שני בפיזיקה מאוניברסיטת אורגון ביוג'ין, אורגון[1][2][6]. בשנת 1929 קיבל דוקטורט מאוניברסיטת מינסוטה, שם למד בין השאר מכניקת קוואנטים, והתזה שלו הייתה "יעילות של עירור באמצעות פגיעת אלקטרון ופיזור אנומלי של אדי כספית"[2].

ב-1929 החל לעבוד במעבדות בל כפיזיקאי חוקר, ובתפקיד זה עבד עד יציאתו לגמלאות ב-1976[6], ועיקר מחקרו התעסק בתכונות שטח פנים של מוצקים[1].

במהלך מלחמת העולם השנייה, סייע באוניברסיטת קולומביה למחקר על זיהוי מגנטי של צוללות[6].

ב-1945, מעבדות בל פתחה קבוצה שהתמקדה במחקר בנושא הפיזיקה של המוצקים, בדגש על טכנולוגיות למטרות תקשורת, שנוהלה בידי ויליאם שוקלי ואליה הצטרף בראטיין[2]. אליהם הצטרף גם ג'ון ברדין[2].

לפי התאוריות שרווחו באותו הזמן, תוכניתו של שוקלי לטרנזיסטור, אשר היה מורכב מצילינדר מכוסה בשכבת סיליקון דקה שהורכב על צלחת מתכתית, הייתה אמורה לעבוד[7]. הוא מינה את בראטיין וברדין לברר מדוע לא עבדה[7].

בנובמבר 1947 גילו בראטיין וברדין שהתעבות של מים על הסיליקון קרתה פעם אחר פעם, ובעקבות זאת ניסו להפעיל את המכשיר מתחת למים, דבר שהביא ליצירת ההגברה הגדולה ביותר שהייתה להם עד אותו רגע[7]. ברדין התעודד בעקבות הגילוי, והחליט לנסות להוסיף חתיכת זהב שתהיה בתוך הסיליקון ותוקף במים מזוקקים, דבר שהביא לשיפור קל[7].

בראטיין וברדין דורבנו לשפר את ההמצאה בעקבות התוצאות, ובמהלך השבועות שלאחר מכן ניסו להחליף את הסיליקון במספר מתכות שונות. לבסוף, הם החליפו את הסיליקון בגרמניום, דבר שיצר הגברה גדולה פי 330, אך ההגברה תפקדה רק בתדרים נמוכים[7]. לאחר מכן, הם החליפו את הנוזל בשכבה של גרמניום דו-חמצני, אך לאחר ששכבת החמצן נשטפה בטעות, דחף בראטיין את הזהב אל תוך הגרמניום והצליח ליצור הגברה שתפקדה בכל התדרים[7].

חודש לאחר מכן, ב-16 בדצמבר[3][5], הצליחו בראטיין וברדין להפעיל את המגבר שלהם בפעם הראשונה.

ב-23 בדצמבר הציגו בראטיין, ברדין ושוקלי (על אף שלשוקלי לא הייתה למעשה יד בהמצאה[8]) בפני עמיתיהם במעבדות בל[3][4][5][8].

שוקלי האמין שהוא זה שאמור לקבל קרדיט על המצאת הטרנזיסטור, והוא הדיר את בראטיין וברדין מהמשך המחקר[5][8], ובדגש מהמחקר על הטרנזיסטור הביפולרי, אותו שוקלי המציא לבדו[9].

לאחר המצאת הטרנזיסטור, המשיך בראטיין לחקור את תכונות שטח הפנים של מוצקים ואת "אפקט הטרנזיסטור", היכולת של מוליך למחצה להגביר אות[10].

בשנת 1956 זכו בראטיין, ברדין ושוקלי בפרס נובל לפיזיקה על מחקריהם במוליכים למחצה ועל גילוי אפקט הטרנזיסטור[2][8].

בראטיין נפטר ב-13 באוקטובר 1987 בבית אבות בסיאטל, וושינגטון לאחר שסבל ממחלת האלצהיימר[11]. הוא נקבר בבית הקברות פומרוי סיטי בפומרוי, וושינגטון[12].

קישורים חיצוניים

ויקישיתוף מדיה וקבצים בנושא וולטר בראטיין בוויקישיתוף

הערות שוליים

  1. ^ 1 2 3 4 5 וולטר בראטיין, באתר פרס נובל (באנגלית).
  2. ^ 1 2 3 4 5 6 7 8 ג'ון ברדין, Walter houser Brattain, באתר האקדמיה הלאומית למדעים (באנגלית)
  3. ^ 1 2 3 4 רויטל חליף, ‏הרְכיב ששינה הכול, באתר "הידען", 5 בדצמבר 2014
  4. ^ 1 2 מעבדות בל, באתר הספרייה הווירטואלית של מטח
  5. ^ 1 2 3 4 תבנית:עושים היסטוריה 1
  6. ^ 1 2 3 4 Walter Brattain Family Papers, 1860-1990, באתר Archives West (באנגלית)
  7. ^ 1 2 3 4 5 6 אלאינה ג. לוין, John Bardeen, William Shockley, Walter Brattain - Invention of the Transistor - Bell Laboratories, באתר APS (באנגלית)
  8. ^ 1 2 3 4
    שגיאות פרמטריות בתבנית:כלכליסט

    פרמטרים ריקים [ 5 ] לא מופיעים בהגדרת התבנית
    איתמר שאלתיאל, גיק בשבוע: וויליאם שוקלי, באתר כלכליסט, 20 בספטמבר 2008
  9. ^ רונלד קסלר, Absent at the Creation; How one scientist made off with the biggest invention since the light bulb, באתר וושינגטון פוסט (באנגלית)
  10. ^ צ'ארלס ו. קרי, American Scientists‏, 2005, עמ' 39–41, מסת"ב 978-0816054992
  11. ^ Susan Heller Anderson, ‏Walter Brattain, Inventor, is dead, New York Times, ‏14 באוקטובר 1987
  12. ^ Walter H. Brattain, באתר NNDB (באנגלית)