המכון למצב מוצק (הטכניון) – הבדלי גרסאות
תוכן שנמחק תוכן שנוסף
הצלת 1 מקורות והוספת 0 לארכיון.) #IABot (v2.0.1 |
אין תקציר עריכה |
||
| שורה 4: | שורה 4: | ||
==פעילות המחקר במכון== |
==פעילות המחקר במכון== |
||
פעילות המחקר במכון נחלקת למחקרים שהם בסיסיים בעיקרם, למחקרי גישוש יישומיים ולמחקרים הסובבים סביב יישום חומרים [[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] וייצור אבטיפוס של התקנים אלקטרוניים ו[[אלקטרואופטיקה|אלקטרואופטיים]]. מעבדות השירות תומכות במחקר על ידי מתן שירותים לחוקרי הטכניון ולמשתמשי חוץ, תוך ניצול הציוד הייחודי הקיים במכון: מעבדת פני שטח, מעבדת השתלת [[יון|יונים]] ומעבדת [[קרני רנטגן]]. |
פעילות המחקר במכון נחלקת למחקרים שהם בסיסיים בעיקרם, למחקרי גישוש יישומיים ולמחקרים הסובבים סביב יישום חומרים [[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] וייצור אבטיפוס של התקנים אלקטרוניים ו[[אלקטרואופטיקה|אלקטרואופטיים]]. מעבדות השירות תומכות במחקר על ידי מתן שירותים לחוקרי הטכניון ולמשתמשי חוץ, תוך ניצול הציוד הייחודי הקיים במכון: מעבדת פני שטח, מעבדת השתלת [[יון|יונים]] ומעבדת [[קרני רנטגן]]. |
||
===מחקר בסיסי=== |
===מחקר בסיסי=== |
||
* חקירת [[רקומבינציה (אלקטרונים)|רקומבינציה]] של [[אקסיטון|אקסיטונים]] ופלאסמת אלקטרונים-חורים ב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] מסוג III-V ו-II-VI |
* חקירת [[רקומבינציה (אלקטרונים)|רקומבינציה]] של [[אקסיטון|אקסיטונים]] ופלאסמת אלקטרונים-חורים ב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] מסוג III-V ו-II-VI |
||
* חקר תכונות של [[נקודה קוונטית|נקודות קוונטיות]], בורות קוונטיים וסריגים הבנויים משכבות עוקבות של GaAs/AlGaAs/InGaAs ומערכות המבוססות על מצעים של InP ושכבות של InAlAs, InAs או InGaAsP בשיטות של [[ספקטרוסקופיה]] אופטית, פוטומוליכות ומדידות תובלה חשמלית; הספקטרוסופיה האופטית כוללת את תחומי הפיקו וה[[פמטושנייה]], חקר הדינמיקה של נושאי מטען מעוררים ואקסיטונים, ספקטרוסקופיה בתחום ה[[תת-אדום]] הבינוני של מעברים בין פסים ובין תת-פסים, [[פיזור ראמאן]], ספקטרוסקופיית ODMR וספקטרוסקופיה בשדה מגנטי. |
* חקר תכונות של [[נקודה קוונטית|נקודות קוונטיות]], בורות קוונטיים וסריגים הבנויים משכבות עוקבות של GaAs/AlGaAs/InGaAs ומערכות המבוססות על מצעים של InP ושכבות של InAlAs, InAs או InGaAsP בשיטות של [[ספקטרוסקופיה]] אופטית, פוטומוליכות ומדידות תובלה חשמלית; הספקטרוסופיה האופטית כוללת את תחומי הפיקו וה[[פמטושנייה]], חקר הדינמיקה של נושאי מטען מעוררים ואקסיטונים, ספקטרוסקופיה בתחום ה[[תת-אדום]] הבינוני של מעברים בין פסים ובין תת-פסים, [[פיזור ראמאן]], ספקטרוסקופיית ODMR וספקטרוסקופיה בשדה מגנטי. |
||
* בעיות של [[סוליטון|סוליטונים]] בחומרים רפרקטוריים |
* בעיות של [[סוליטון|סוליטונים]] בחומרים רפרקטוריים |
||
* תובלה ורקומבינציה ב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] אמורפיים |
* תובלה ורקומבינציה ב[[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] אמורפיים |
||
* פיזור ראמאן רזונטיבי ב[[פולימר]]ים מוליכים, במוליכים למחצה ומבנים קוונטיים ממוליכים למחצה |
* פיזור ראמאן רזונטיבי ב[[פולימר]]ים מוליכים, במוליכים למחצה ומבנים קוונטיים ממוליכים למחצה |
||
* חקר מצבים מעוררים אופטית וחקר התקנים אופטו-אלקטרוניים בפולימרים מוליכים |
* חקר מצבים מעוררים אופטית וחקר התקנים אופטו-אלקטרוניים בפולימרים מוליכים |
||
* מחקר תכונות שריג של מוליכים יוניים וגבישים מעורבים וחקירת מעבר סדר אי-סדר במוליכים למחצה בעזרת פיזור ראמאן |
* מחקר תכונות שריג של מוליכים יוניים וגבישים מעורבים וחקירת מעבר סדר אי-סדר במוליכים למחצה בעזרת פיזור ראמאן |
||
* חקירת פגמים ב[[גביש]]ים בעקבות השתלת יונים והרפייתם |
* חקירת פגמים ב[[גביש]]ים בעקבות השתלת יונים והרפייתם |
||
* חקירת תכונות חשמליות ואופטיות של פולימרים מוליכים |
* חקירת תכונות חשמליות ואופטיות של פולימרים מוליכים |
||
* שימוש בספקטרומטרית מסה של יונים משניים (SIMS), [[ספקטרוסקופיית אלקטרוני אוז'ה]] ו-[[XPS]] לחקר כימוסורפצייה ו[[קטליזה]] הטרוגנית |
* שימוש בספקטרומטרית מסה של יונים משניים (SIMS), [[ספקטרוסקופיית אלקטרוני אוז'ה]] ו-[[XPS]] לחקר כימוסורפצייה ו[[קטליזה]] הטרוגנית |
||
* יצירה, בדיקה ומחקר של שכבות [[יהלום]] דקות |
* יצירה, בדיקה ומחקר של שכבות [[יהלום]] דקות |
||
===מחקר יישומי=== |
===מחקר יישומי=== |
||
* שימוש בהשתלת יונים והרפיית נזקי הקרינה ליצירת מבנים חדשים מוליכים למחצה |
* שימוש בהשתלת יונים והרפיית נזקי הקרינה ליצירת מבנים חדשים מוליכים למחצה |
||
* השתלת יונים ביהלומים וחקירת השינויים בתכונותיהם האופטיות והחשמליות |
* השתלת יונים ביהלומים וחקירת השינויים בתכונותיהם האופטיות והחשמליות |
||
* הכנת שכבות דקות דמויות יהלום על ידי [[שיקוע]] [[פחמן]] מאלומות יונים; הכנת שכבות יהלום על ידי פירוק מולקולות [[הידרוקרבון|הידרוקרבונריות]] על ידי [[פילמנט]] חם לצורכי ציפוי |
* הכנת שכבות דקות דמויות יהלום על ידי [[שיקוע]] [[פחמן]] מאלומות יונים; הכנת שכבות יהלום על ידי פירוק מולקולות [[הידרוקרבון|הידרוקרבונריות]] על ידי [[פילמנט]] חם לצורכי ציפוי |
||
* הכנת שכבות דקות של מוליכים למחצה בשיטות גידול אפיטקסיאלי מה[[פאזה (חומר)|פאזה]] הגזית, אפיון תכונותיהם, בניית [[לייזר]]ים והתקנים אופטו אלקטרוניים אחרים המתבססים עליהם |
* הכנת שכבות דקות של מוליכים למחצה בשיטות גידול אפיטקסיאלי מה[[פאזה (חומר)|פאזה]] הגזית, אפיון תכונותיהם, בניית [[לייזר]]ים והתקנים אופטו אלקטרוניים אחרים המתבססים עליהם |
||
* פיתוח ובניית אבטיפוסים של התקנים אלקטרואופטיים המתבססים על Si ובעיקר על גבישים מרוכבים מהקבוצות III-V ו-II-VI. חקר גלאים לתת-אדום המבוססים על מעברים בין תת-פסים בבורות ונקודות קוונטיות במוליכים למחצה וכאלה המבוססים על HgCdTe. |
* פיתוח ובניית אבטיפוסים של התקנים אלקטרואופטיים המתבססים על Si ובעיקר על גבישים מרוכבים מהקבוצות III-V ו-II-VI. חקר גלאים לתת-אדום המבוססים על מעברים בין תת-פסים בבורות ונקודות קוונטיות במוליכים למחצה וכאלה המבוססים על HgCdTe. |
||
גרסה מ־20:57, 22 במאי 2021
פרק זה טעון עריכה. אנא תרמו לוויקיפדיה ועזרו לערוך אותו. ייתכן שתמצאו פירוט בדף השיחה. הסיבה היא: תיקון סגנון למקובל בוויקיפדיה ופישוט.המכון למצב מוצק הוא יחידת מחקר בין תחומית בטכניון העוסקת במחקר מוצקים. במכון חברי סגל מהפקולטות לפיזיקה להנדסת חשמל, לכימיה ולהנדסת חומרים.
פעילות המחקר במכון
פעילות המחקר במכון נחלקת למחקרים שהם בסיסיים בעיקרם, למחקרי גישוש יישומיים ולמחקרים הסובבים סביב יישום חומרים מוליכים למחצה וייצור אבטיפוס של התקנים אלקטרוניים ואלקטרואופטיים. מעבדות השירות תומכות במחקר על ידי מתן שירותים לחוקרי הטכניון ולמשתמשי חוץ, תוך ניצול הציוד הייחודי הקיים במכון: מעבדת פני שטח, מעבדת השתלת יונים ומעבדת קרני רנטגן.
מחקר בסיסי
- חקירת רקומבינציה של אקסיטונים ופלאסמת אלקטרונים-חורים במוליכים למחצה מסוג III-V ו-II-VI
- חקר תכונות של נקודות קוונטיות, בורות קוונטיים וסריגים הבנויים משכבות עוקבות של GaAs/AlGaAs/InGaAs ומערכות המבוססות על מצעים של InP ושכבות של InAlAs, InAs או InGaAsP בשיטות של ספקטרוסקופיה אופטית, פוטומוליכות ומדידות תובלה חשמלית; הספקטרוסופיה האופטית כוללת את תחומי הפיקו והפמטושנייה, חקר הדינמיקה של נושאי מטען מעוררים ואקסיטונים, ספקטרוסקופיה בתחום התת-אדום הבינוני של מעברים בין פסים ובין תת-פסים, פיזור ראמאן, ספקטרוסקופיית ODMR וספקטרוסקופיה בשדה מגנטי.
- בעיות של סוליטונים בחומרים רפרקטוריים
- תובלה ורקומבינציה במוליכים למחצה אמורפיים
- פיזור ראמאן רזונטיבי בפולימרים מוליכים, במוליכים למחצה ומבנים קוונטיים ממוליכים למחצה
- חקר מצבים מעוררים אופטית וחקר התקנים אופטו-אלקטרוניים בפולימרים מוליכים
- מחקר תכונות שריג של מוליכים יוניים וגבישים מעורבים וחקירת מעבר סדר אי-סדר במוליכים למחצה בעזרת פיזור ראמאן
- חקירת פגמים בגבישים בעקבות השתלת יונים והרפייתם
- חקירת תכונות חשמליות ואופטיות של פולימרים מוליכים
- שימוש בספקטרומטרית מסה של יונים משניים (SIMS), ספקטרוסקופיית אלקטרוני אוז'ה ו-XPS לחקר כימוסורפצייה וקטליזה הטרוגנית
- יצירה, בדיקה ומחקר של שכבות יהלום דקות
מחקר יישומי
- שימוש בהשתלת יונים והרפיית נזקי הקרינה ליצירת מבנים חדשים מוליכים למחצה
- השתלת יונים ביהלומים וחקירת השינויים בתכונותיהם האופטיות והחשמליות
- הכנת שכבות דקות דמויות יהלום על ידי שיקוע פחמן מאלומות יונים; הכנת שכבות יהלום על ידי פירוק מולקולות הידרוקרבונריות על ידי פילמנט חם לצורכי ציפוי
- הכנת שכבות דקות של מוליכים למחצה בשיטות גידול אפיטקסיאלי מהפאזה הגזית, אפיון תכונותיהם, בניית לייזרים והתקנים אופטו אלקטרוניים אחרים המתבססים עליהם
- פיתוח ובניית אבטיפוסים של התקנים אלקטרואופטיים המתבססים על Si ובעיקר על גבישים מרוכבים מהקבוצות III-V ו-II-VI. חקר גלאים לתת-אדום המבוססים על מעברים בין תת-פסים בבורות ונקודות קוונטיות במוליכים למחצה וכאלה המבוססים על HgCdTe.