לדלג לתוכן

ננוליתוגרפיה

מתוך ויקיפדיה, האנציקלופדיה החופשית

ננוליתוגרפיה (אנגלית: Nanolithography) מתייחסת למכלול שיטות ייצור בתחום המיקרואלקטרוניקה והמיקרומכניקה המאפשרת ייצור סדרתי של מבנים בגדלים ננומטרים, משמע שאחד מממדיהם קטן מ-100 ננומטר. ננוליתוגרפיה נפוצה בייצור שבבים מוליכים למחצה ומעגלים מודפסים.

השיטה השולטת כיום בתעשיית המוליכים למחצה לייצור היא פוטוליתוגרפיה. שיטה זו מאפשרת הגעה לרזולוציה של 32 ננומטר. הקרנה באור מאפשרת להגיע לרזולוציה מיטבית של 1/2 אורך גל, מה שמחייב שימוש בלייזרים באורכי גל אולטרה-סגולים ושיפור הרזולוציה מייקר מאוד את המערכת. רוב המומחים בתחום מאמינים כי בשיטה זו לא ניתן יהיה להגיע למערכת מסחרית לייצור ברזולוציה מתחת ל-22 ננומטר.

הטכנולוגיות שעתידות להחליף את הפוטוליתוגרפיה ולאפשר שיפור של הרזולוציה נקראות בשם הכולל "ליתוגרפיית הדור הבא" (Next-generation Lithography או NGL) בהן השיטות המובילות הבאות:

  • ליתוגרפיית קרני-X: בדומה לפוטוליתוגרפיה אך תוך שימוש בקרני-X שאורך הגל שלהן הוא באורך של ננומטר
  • ליתוגרפיה אולטרה-סגול קיצונית (Extreme Ultraviolet Lithography או EUV): בדומה לפוטוליתוגרפיה תוך שימוש באורך גל קצר במיוחד של כ-13.5 ננומטר
  • ליתוגרפיה של הטבעה ננומטרית (Nanoimprint Lithography או NIL): שימוש בתבנית עם מבנה ננומטרי שמשמשת להטבעת המבנה על חומר רך בלחץ

המכשירים המסחריים הקיימים בשוק נכון לספטמבר 2025 הם מתוצרת חברת ASML ההולנדית, הוועדה המרכזית למדע וטכנולוגיה הסינית הודיעה כי הם מפתחים מכונה משל עצמם.

קישורים חיצוניים

[עריכת קוד מקור | עריכה]
ערך זה הוא קצרמר בנושא טכנולוגיה. אתם מוזמנים לתרום לוויקיפדיה ולהרחיב אותו.