אפטיקסיה מהפאזה הנוזלית – הבדלי גרסאות

תוכן שנמחק תוכן שנוסף

בשורה

גרסה מ־22:39, 19 באוקטובר 2023

אפיטקסיה מהפאזה הנוזלית, liquid phase epitaxy - LPE היא שיטת גידול אפיטקסיאלית המתרחשת בממשק (אנ') שבין נוזל ובין מצע מוצק, חד-גבישי (אנ') (המצע). כבשאר שיטות האפיטקסיה משמשת LPE לגידול שכבות דקות חד-גבישיות (אנ') על מצע חד-גבישי אחר עבה יותר. היא נבדלת מהשיטות האחרות בכך שחומר המוצא לגידול (פאזת ההזנה) נמצא במצב צבירה נוזלי. LPE היא אחת השיטות הוותיקות לגידול שכבות אפיטקסיאליות. גם כיום, לקראת סוף הרבע הראשון של המאה ה-21, מייצרים בשיטה זו כמויות גדולות של פרוסות (אנ') של מוליכים למחצה, וחומרים אחרים.

היסטוריה

גידול ה-LPE הראשון של התקני מוליכים למחצה (אנ') ממשפחת החומרים III-V (אנ') בוצע ב-1963 על ידי ה. נלסון (Nelson) ממעבדות RCA בפרינסטון, ניו-ג'רזי.^[1] נלסון גידל במערכת הטיה התקני צומת p-n ב-GaAs ללייזרים ולדיודות מינהור (אנ') על ידי שימוש בתמיסת GaAs בבדיל לגידול שכבת GaAs מסוג n על מצע GaAs מסוג p. הוא פיתח גם את היכולת לגדל שכבות מסוממות n או p מתמיסות של GaAs בגליום עם תוספת קטנה של טלוריום או אבץ, בהתאמה. ב-1969 פיתחו חוקרים במעבדות בל בניו-ג'רזי את שיטת הסרגל לגידול GaAs לאותם צרכים.^[2]

במהלך שנות ה-70 של המאה ה-20, לפני שבשלו טכניקות האפיטקסיה החדשניות של אפיטקסיית קרן מולקולרית (MBE) ואפיקטסיה מהאדים באמצעות מטלו-אורגנים (אנ') (MOVPE או MOCVD), ועקב מוגבלות שיטות האפיטקסיה מהפאזה הגזית שהיו קיימות אז (Hydride vapour phase epitaxy (HVPE) (אנ') ו-Halogen vapor phase epitaxy), הפכה LPE לשיטה המעודפת לגידול סגסוגות מכילות אלומיניום, כמו AlGaAs (אנ'), או זרחן, כמו InGaAsP (אנ'), עבור מימוש דיודות פולטות אור (LEDs) ודיודות לייזר (LDs) לצעדי הפיתוח הראשונים של תקשורת אופטית מבוססת מוליכים למחצה ועבור טכנולוגית המיקרוגלים.^[3]

החל מסוף משנות ה-90 החלה לרדת קרנה של שיטת ה-LPE בעקבות ההתפחויות בשיטות הגידול MOCVD (בעיקר לייצור) ו-MBE (בתחילה בעיקר למו"פ). בשתי שיטות אלו אפשר לייצר הטרו-מבנים מתוחכמים יותר, והן מוגבלות פחות על ידי האילוצים של התאמת פרמטר הסריג, או השפעות של חוסר שיווי משקל (המסה לאחור, meltback). יתרה מכך, MOCVD ועוד יותר MBE, הציעו שליטה טובה יותר בהרכב ובמורפולוגיה של פני השטח, ובקבלת אחידות בשטח גדול כמו גם ממשקים וצמתים (אנ') חדים.^[3]

עקרון השיטה

ב-LPE מתחילים בהכנת תערובת או תמיסה (בדרך כלל תמיסה מוצקה) של היסודות הרצויים. למשל לגידול שכבות של הסגסוגת אלומיניום גליום ארסניד (AlGaAs) (אנ') מכינים תמיסה (מוצקה) של אלומיניום וארסן בגליום, ואילו לגידול שכבות של הסגסוגת כספית קדמיום טלוריד (MCT) (אנ') מכינים תמיסה (מוצקה) של כספית וקדמיום בטלוריום או תמיסה של קדמיום וטלוריום בכספית. את התמיסה הזו מכניסים לכלי מתאים (באיור, באופן סכמתי, לכוס), ואותו לתנור (שלא מוראה באיור). מחממים עד להתכת התמיסה, וממתינים להומוגניזציה של הפאזה הנוזלית. לאחר מכן מקררים את התמיסה; כשמגיעים לנקודת הקיפאון של התמיסה (לנקודת הליקווידוס (אנ'), כלומר לטמפרטורה שבה, בשיווי משקל תרמודינמי, היא תתחיל להפריש מוצק) לא קורה דבר מפני שאין (כך מקווים) מרכז גרעון, שיתחיל את הגיבוש. בשלב זה אפשר להכניס את המצע לתמיסה. המצע מהווה נקודת גרעון גדולה, ולכן יתחיל קיפאון, כלומר גידול. אפשר גם לקרר את התמיסה עוד לפני הכנסת המוצק, כך שהתמיסה תימצא במצב של קירור יתר. בשני המקרים, אם המצע הוא בהרכב הכימי המבוקש, במבנה ובכיוון הגבישיים הרצויים, תגדל עליו השכבה האפיטקסיאלית המבוקשת. אפשר לקרר את התמיסה במהלך הגידול (כמו באיור) או להשאיר אותה קבועה. לאחר הזמן הנדרש להשגת עובי השכבה המבוקש, מוציאים את המוצק (המצע עם השכבה שגדלה עליו) מן התמיסה.

פרופילי טמפרטורה והתלות של עובי השכבה בזמן הגידול

תהליך הגידול ב-LPE קרוב מאוד לשיווי משקל,^[4] כך שהרכב התמיסה הרצוי להשגת מוצק בהרכב הנדרש נקבע מתוך דיאגרמת הפאזות המתאימה. תנאי הגידול ב-LPE הם כאלו שקצב הגידול מוגבל על ידי דיפוזיה של המומס מהתמיסה אל הממשק תמיסה-מצע, היכן שהוא מתגבש למוצק האפיטקסיאלי. מגבלה זו ביחד עם פרופיל הטמפרטורה המיושם במהלך הגידול קובעים איך גדל עובי השכבה (d) עם הזמן (t). מבחינים בין שלושה מהלכים תרמיים כאלו (בכולם מניחים שעובי השכבה קטן יחסית לעובי תמיסת הגידול - "קירוב השכבה הדקה"):^[5]

פרופיל קירור מדרגה (step-cooled growth): לאחר שלב החימום של התמיסה מייצבים את הטמפרטורה (על T_h באיור) לצורך הומוגנזיציה, כך שמתקבל ריכוז אחיד של המומס, x_eh, בתמיסת הגידול. ערך זה הוא ריכוז שיווי המשקל המתאים לטמפרטורת הליקוידוס T_h הזו. להתחלת הגידול מונמכת הטמפרטורה בקפיצה של ΔT_sc מעלות ל-T_sc (כמוראה באיור). ריכוז שיווי המשקל משתנה ל-x_esc, הניתן על ידי עקום הליקווידוס בטמפרטורה T_esc. ריכוז זה נמוך מהריכוז שעדיין קיים בתמיסה, x_eh. לכן התמיסה נמצאת בעל-רוויה (סופרסטורציה), כלומר בקירור יתר. בגלל הפרש הטמפרטורה הקטן, ΔT_sc, המיושם ב‑LPE עקום הליקווידוס ליניארי עם הטמפרטורה, ושיפועו: m. בתנאים אלו גדל עובי השכבה עם משך הגידול בצורה הבאה: $d_{super-cool.}={\operatorname {2\Delta } \!T_{sc} \over \operatorname {m} \!x_{s}}{\sqrt {D \over \pi }}t^{1/2}$ . במשוואה זו x_s הוא הריכוז במוצק, שנקבע על ידי עקום הסולידוס (אנ'), ו-D הוא מקדם הדיפוזיה (אנ') של המומס בתמיסת הגידול.
פרופיל קירור משופע (ramp-cooling growth): במקרה זה, כבקודם, מתחיל התהליך בשלב הומוגניזציה בטמפרטורה T_h הגורם שוב לריכוז שיווי משקל x_eh בתמיסת הגידול. בתום שלב זה לא מיישמים בפרופיל זה קפיצת טמפרטורה מטה, אלא מורידים את הטמפרטורה בהדרגה בקצב קבוע α, כך שמתקיים: T(t) = T_h - αt. אם אינטרוול הקירור הכולל קטן, אז עדיין השיפוע של עקום הליקווידוס, m, כמעט קבוע, והרכב שיווי המשקל על עקום הליקווידוס הוא פונקציה ליניארית של הטמפרטורה. עבור תנאים אלו מקבלים שעובי השכבה משתנה עם הזמן על פי:

$d_{ramp-cool.}={4\alpha \over 3mx_{s}}{\sqrt {D \over \pi }}t^{3/2}$ .

פרופיל קירור יתר (supercooling growth): טכניקת גידול זו היא שילוב של השתיים הקודמות. לאחר שלב ההומוגניזציה, מתחיל הקירור ביצירת קירור יתר על ידי קפיצת טמפרטורה של ΔT_sc מטה, ובנוסף מיישמים לאחריה קירור בקצב קבוע α. התלות של העובי בזמן הגידול תתקבל, לכן, מחיבור שתי המשוואות הקודמות:

$d_{supercool.}={\operatorname {1} \over \operatorname {} \!mx_{s}}{\sqrt {D \over \pi }}(2\Delta {T_{sc}}t^{3/2}+{\operatorname {4} \over \operatorname {3} }\alpha t^{3/2})$ .

הבחירה באחד מבין שלושה פרופילים אלו של הטמפרטורה עבור הגידול ב-LPE של מערכת חומרים מסוימת תלויה, בין היתר, בדרישות ממערכת החומרים הזו, מדיאגרמת הפאזות הרלוונטית, ומהמורפולוגיה ומהסימום הנדרשים מהשכבה. בכל שלושת הפרופילים עובי השכבה אינו גדל ליניארית בזמן. זה מסבך, במידה מסוימת, את חישוב הזמן הדרוש לקבלת שכבה בעובי רצוי. סיבוך נוסף, נובע מכך שלא תמיד ידוע הרכב תמיסת הגידול במדויק, ולכן גם לא את טמפרטורת הליקווידוס המדויקת שלה. כתוצאה מכך קיימת שגיאה מובנית בקביעת משך הגידול; ובפרופילים המתאימים יש גם שגיאה בקביעת ΔT_sc.

סוגי המערכות לגידול LPE

ללא קשר לפרופיל הטמפרטורה המיושם ב-LPE, קיימות בה מספר טכניקות של גידול:^[6]

תיאור סכמתי של הרכיבים העיקריים במערכת הגידול, ושל שלבי הגידול ב-LPE בשיטת ההטיה (tipping, למעלה) ובשיטת ההטיה-הסיבובית (rotating-tipping, למטה). ריאקטור הקוורץ נמצא בתנור חימום שאינו מוראה באיור.
שיטת ההטיה (tipping): לתוך סירה מחומר אינרטי (גרפיט, בדרך כלל) מכניסים בצד אחד את המצע ובצד השני את תמיסת הגידול. הסירה מוכנסת לריאקטור קוורץ צינורי, המצוי בתנור חימום. בתחילה התנור מוטה כך שצד התמיסה נמוך יותר ממצע הגידול. מחממים את התנור להתכת התמיסה, וממתינים להומוגינזציה שלה. בהתאם לפרופיל הגידול מקררים לקירור יתר, אם צריך. כשטמפרטורת התמיסה הגיעה לערך הרצוי, מטים את התנור סביב צירו האופקי הניצב לציר האורך של הסירה, ועל ידי כך "מזרימים" את התמיסה אל המצע, והגידול מתחיל. בסיום הגידול מטים את התנור למצבו ההתחלתי לצורך שפיית התמיסה מהמצע שעליו גדלה השכבה האפיטקסיאלית, ומקררים את התנור, לצורך הוצאת השכבה המגודלת. אחד החסרונות של השיטה הוא האפשרות לגדל רק על מצע אחד (או מספר קטן של מצעים קטנים). כדי להתגבר על חסרון זה פותחה נגזרת של השיטה שבה ההטיה היא סביב ציר המקביל לציר האורך של הריאקטור: שיטת ההטיה הסיבובית (rotating-tipping). בשיטה זו מטעינים לתוך הריאקטור הצינורי סירה היכולה להכיל מספר רב של מצעים ניצבים לציר האורך של הריאקטור. המחזיק מחובר לדופן הצינור, כך שבהתחלה המצעים נמצאים מעל לתמיסת הגידול. בשלב זה מחממים את התנור להתכה של תמיסת הגידול ולהומוגניזציה שלה, ומתחילים בקירור כנדרש. בשלב המתאים מסובבים את הצינור סביב ציר האורך שלו, כך שכל המצעים נטבלים בתמיסת הגידול, והגידול מתחיל. בסיום הזמן הדרוש מסובבים את הצינור בחזרה למצבו ההתחלתי, כך שהתמיסה מחליקה מפני השטח של השכבות המגודלות באמצעות כוח הכבידה, ומקררים את המערכת. לצורך הוצאת השכבות האפיטקסיאליות שגודלו. לשני הווריאנטים של שיטת ההטיה יש חסרונות בולטים: ניתן לגדל רק סוג אחד של שכבה על כל מצע, סילוק התמיסה מפני השטח האפיטקסיאליים אינו מושלם, כמות התמיסה מוגבלת והיישום החוזר שלה מסובך. עם זאת, היכולת לגדל בפעם אחת על מספר רב של מצעים בשיטת ההטיה-הסיבובית היא יתרון תעשייתי משמעותי.
תיאור סכמתי של הרכיבים העיקריים במערכת הגידול, ושל שלבי גידול LPE בשיטת הטבילה (dipping). ריאקטור הקוורץ נמצא בתנור חימום שאינו מוראה באיור.
שיטת הטבילה (dipping): תמיסת הגידול נמצאת בתוך כורית (אנ') המצויה בריאקטור שבתוך תנור. בדרך כלל מוזרם דרך הריאקטור מימן או גז אינרטי כדי למנוע תגובה של התמיסה והמצעים עם אווירת החדר. המצע או המצעים מורכבים באמצעות מחזיקים על מוט הסעה וסיבוב, אותו מורידים אנכית לתוך "אמבט" התמיסה להתחלת הגידול, כשטמפרטורת האמבט הגיע לערך הרצוי (עם או בלי קירור יתר). במקרים בהם צפיפות התמיסה גבוהה יותר מאשר הצפיפות המשוקללת של המצע ומחזיקו, צפים האחרונים על גבי פני הנוזל, בזכות הציר המחבר את המחזיק אל המוט. במהלך הגידול מישמים לעיתים סיבוב של מוט המצעים על מנת להשיג אחידות של הריכוז בתמיסה על ידי פיצוי הבדלי החימום באזורים שונים של הכורית, והבדלי ריכוז בגלל קונבקציות בנוזל. בתום הזמן הנדרש להשגת העובי הרצוי של השכבה, מעלים את המוט להוצאת המצעים מן התמיסה. בזכות הציר המחבר את מחזיקי המצעים למוט, הם חוזרים למצב ניצב לקרקע, ושאריות התמיסה ניגרות מפני השטח של המצעים באמצעות כוח הכבידה. אם צפיפות הנוזל נמוכה, מרכיבים מראש את המחזיקים על המוט כך שפני המצעים מקבילים לפני השטח של הנוזל. בהוצאת המצעים בתום הגידול קשה, במקרה זה, לסלק את כל שאריות התמיסה, ולכן מיישמים לעיתים סיבוב מהיר של מוט ההסעה והסיבוב על מנת לסלקן באפקט הצנטריפוגה. שיטת הטבילה שימושית בעיקר בגידול שכבות עבות, שכן בגלל הנפח הגדול של התמיסה, ריכוזה כמעט שאינו משתנה בגלל הפרשת מומסים לגידול האפיטקסיאלי. יתרה מכך, אותה תמיסה יכולה לשמש למספר ריצות גידול עוקבות, כך שחוסכים בזמן הנדרש לפריקה, הטענה וחימום של החומר שבכורית. התמיסה נשארת בדרך כלל חמה, כשכל מספר גידולים מוסיפים לה כמויות קטנות של המומסים, על מנת לשמור על ריכוז התמיסה בערך הרצוי. יתרונות נוספים של השיטה הם: האפשרות לגדל על מספר מצעים בו זמנית (אם כי לא גדול כמו בשיטת ההטיה הסיבובית), והאפשרות לשמור את המצעים בטמפרטורה נמוכה יחסית עד להתחלת הגידול עצמו. זה משמעותי בעיקר לחומרים שנוטים להתפרק בחום גבוה כמו תחמוצות. החסרון העיקרי של השיטה נעוץ בכך שאפשר לגדל רק שכבה אחת בהרכב קבוע על כל מצע.
תיאור סכמתי של סירת הגידול, ושל השלבים בגידול LPE של מבנה דו-שכבתי על שני מצעים נפרדים בשיטת הסרגל (slider method). התנור הנע שבמרכזו עובר ריאקטור קוורץ צינורי ושבו מצויה הסירה אינם מוראים באיור.
שיטת הסרגל (slider): המצע (או המצעים) והתמיסה (או התמיסות) מוצבים בשקעים (או חורים) שבתוך חלקים זחיחים - ה"סרגלים". במהלך הגידול הסרגלים מוזזים אופקית האחד ביחס לשני, כדי להביא את התמיסה במגע עם המצע בזמן הנכון לפי פרופיל הטמפרטורה, וכדי לסלקה ממנו בתום הגידול. לגידול מבנה דו-שכבתי על שני מצעים נפרדים, כמו בדוגמה שבאיור, מניחים בשקעים שבסרגל המצעים שני מצעי גידול זהים, ומניחים אותו על בסיס הסירה. על סרגל המצעים מניחים את סרגל הבארות כך שהאזורים האטומים שבו מכסים את המצעים, והבארות עצמן נמצאות משמאל לכל מצע. מכניסים לארבע הבארות את הרכיבים בכמויות המתאימות ליצירת תמיסות גידול בריכוזים המתאימים על פי דיאגרמת הפאזות (או את תמיסות הגידול המוצקות שהוכנו מראש). לבארות הקרובות למצעים מכניסים את התמיסות בהרכב המתאים לגידול השכבה הראשונה במבנה, ואילו לאחרות את התמיסות בהרכב המתאים לגידול השכבה השנייה במבנה. מכסים את הבארות במכסים למניעת התנדפות רכיבי התמיסה במהלך החימום, מכניסים את הסירה על כל רכיביה לריאקטור הקוורץ הצינורי, סוגרים אותו, ומזרימים דרכו מימן או גז אינרטי. מסיעים את תנור החימום לאורך צינור הקוורץ, כך שמרכזו יחפוף את הסירה, ומתחילים בחימומו. לאחר הזמן הדרוש להתכה של תמיסות הגידול, ולהומוגוניזציה שלהם, מקררים את התמיסה בהתאם לפרופיל הטמפרטורה הרצוי. כשטמפרטורת התמיסה הגיעה לערך שנקבע מראש, מושכים את מוט המשיכה של סרגל הבארות ימינה עד שהבאר הראשונה מתייצבת מעל המצעים. מחכים את הזמן הדרוש להשגת העובי הרצוי של השכבה האפיטקסיאלית הראשונה, ומושכים שוב את סרגל הבארות עד שהאזורים האטומים שבין שני הבארות מכסים את המצעים. באמצעות משיכה זו "נוגבה" תמיסת הגידול מהמצעים. כעת מייצבים את התנור על הטמפרטורה המתאימה לתמיסת הגידול השנייה על פי דיאגרמת הפזות, וממתינים להומוגניזציה. בהתאם לפרופיל הטמפרטורה הנבחר מורידים שוב את הטמפרטורה לערך המתאים, ומשזה הושג מושכים את סרגל הבארות שוב ימינה עד שהבארות של תמיסת הגידול השנייה ניצבות מעל המצעים. בתום הזמן הדרוש, מושכים את סרגל הבארות ימינה, לניגוב התמיסה עד שהמצעים יעמדו מתחת לאזורים האטומים שבין הבארות (אפשר, לחלופין, לדחוף את סרגל הבארות חזרה לעמדה זו, או למשוך אותו כך שהאזורים האטומים שמשמאל לבארות של תמיסת הגידול השנייה יהיו מעל למצעים). כעת מקררים את התנור בקצב שנבחר. בסיום, לצורך קרור מהיר יותר, החשוב בעיקר במקרים של שכבות שרכיביהן נדיפים בטמפרטורות גבוהות, מסיעים את התנור לאורך הריאקטור הצינורי כך שלא יקיף יותר את סירת הגידול. היתרון הגדול ביותר של שיטת הסרגל על פני שיטות ההטיה והטבילה הוא האפשרות לגדל מבנים המכילים מספר שכבות אפיטקסיאליות זו על גבי זו. לשם כך מכינים בארות ותמיסות כמספר השכבות הרצויות. יתרה מכך, הנעת הסרגלים אחד ביחס לשני בסיום הגידול של כל שכבה, גורם ל"חיתוך" ול"ניגוב" יזום של תמיסת הגידול מהשכבה. יתרון נוסף הוא האפשרות לגדל על יותר ממצע אחד, אך מאחר שהמערכת ליניארית והמצעים אופקיים, מספרם קטן בהרבה מהאפשרי בשיטת ההטיה הסיבובית. החסרון של השיטה הוא הנפח הקטן יחסית של תמיסת הגידול. זה לא מאפשר גידול של שכבות עבות מאוד, כי הרכב התמיסה עלול להשתנות יותר מדי במהלך הגידול, ואיתו ישתנה גם הרכב השכבה. זה מצריך גם החלפת התמיסות עבור כל ריצת גידול.

יישומים

בשיטת ה-LPE משתמשים באפיטקסיה של מוליכים למחצה מרוכבים (compound semiconductors), בעיקר כשהגידול שלהם באחת משיטות האפיטקסיה מהפאזה הגזית קשה בגלל לחצים חלקיים שונים מאוד של הרכיבים הבודדים; וכן כאשר נדרש ייצור המוני במחיר שאינו גבוה. LPE משמשת, למשל, לייצור בקנה מידה גדול של דיודות פולטות אור (LEDs) מבוססות GaAs ו-GaP (אנ'), כמו גם לאפיטקסיה של סגסוגות של HgCdTe (אנ') בהרכבים שונים לצורך מימוש גלאי תת-אדום.^[7]^[8] משתמשים ב-LPE כדי לגדל שכבות של SiC ושל ניטרידים (אנ') של מתכות מהמשפחה III-V כמצעים "וירטואליים" לגידול מבנים של ניטרידים בשיטות אפיטקסיה אחרות.^[3] כמו כן, משתמשים ב-LPE ביצור שכבות מגנטו-אופטיות.^[6]

השימוש ב-LPE עבור מוליכים למחצה של יסודות כמו סיליקון, שכיח פחות, שכן הממיסים האפשריים הם בדיל, אלומיניום וגליום, כולם מסממים בחומרים מקבוצה IV בטבלה המחזורית. עם זאת, נעשה שימוש ב-LPE בגידול שכבות לתאים סולריים זולים מבוססי סיליקון.^[3]

תחום יישום נוסף הוא ייצור תחמוצות של מתכות, מפני שללא הטמפרטורות הנמוכות יותר הקשורות בגידול מתמיסה ב-LPE, יש קשיים בשמירה על ההרכב הסטויכימטרי של התחמוצות, לדוגמה בגידול של ZnO (אנ').^[9]

יתרונות וחסרונות השיטה

היתרון של שיטת ה-LPE ביחס לגידול גבישים כמו בשיטות ברידג'מן (אנ') וצ'וחרלסקי (אנ') נובע מכך שנוזל ההזנה ב-LPE הוא התמיסה של החומר אותו רוצים לגדל ולא הנתך (melt) שלו. לכן, הטמפרטורות המעורבות בתהליך נמוכות יותר. יש לכך יתרונות כלכליים הן בצריכת אנרגיה מופחתת, והן בלחץ עבודה נמוך יותר. יש לכך גם יתרונות טכנולוגיים, כמו איכות גבישית טובה יותר.

ביחס לשיטות האפיטקסיה המתחרות ב-LPE, כמו MBE וMOCVD, היא פועלת בקרבת שיווי משקל תרמודינמי, ולכך יש יתרונות וחסרונות.^[3] למשל, הקרבה לשיווי המשקל התרמודינמי מאפשרת המסה של המצע בתחילת הגידול (תהליך הקרוי המסה לאחור, meltback).^[6] זה קורה אפילו כאשר מיושם קירור יתר בפרופיל הטמפרטורה בגידול אם קיים אי-תאום בפרמטרי הסריג של השכבה והמצע. להמסה לאחור זו יש יתרון בכך שתהליך סילוק התחמוצות מפני המצע בטרם הגידול קריטי פחות מאשר בשיטות האפיטקסיה מפאזה גזית. אבל היא מהווה חסרון שכן אי אפשר לקבל ממשק מצע-שכבה מישורי לגמרי. הקרבה לשיווי משקל תרמודינמי בתהליך ה-LPE מאפשרת תיאור תרמודינמי מהימן, יחסית, של תהליך הגידול האפיטקסיאלי, אבל, היישום של הפרמטרים התאורטיים השולטים בגידול קשה, וגורם לכך שתהליך הגידול רגיש מאוד לסטיות מהפרמטרים האופטימליים של התהליך. זה גורם, למשל, להתפתחות מדרגות גידול גבוהות (הקרויות גם טרסות), ולפני שטח שאינם חלקים כבשיטות הגידול האפיטקסיאלי מהפאזה הגזית.^[4]

היתרונות של LPE:

מחיר נמוך יחסית של הציוד הדרוש לגידול
קצב גידול גבוה
איכות חומר טובה מאוד, בעיקר בהקשר של יעילות לומינסנציה
סלקטיביות גבוהה באפיטקסיה אזורית סלקטיבית (אנ') (גידול על מצעים מכוסים במסכה עם תבניות).

החסרונות של LPE:

שליטה נמוכה באחידות בעובי השכבה
קושי בקבלת שכבות דקות מאוד
קושי בגידול הטרו-מבנים רבים עקב אי-התאמה של פרמטרי הסריג, או חוסר שיווי משקל בין המצע והשכבה האפיטקסיאלית
קושי בקבלת שינויי הרכב וסימום חדים בממשקים
ממשק מצע-שכבה מחוספס
מורפולוגית פני שטח ירודה.

ראו גם

לקריאה נוספת

P. Capper and M. Mauk (Eds.), Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials, John Wiley & Sons, Chichester, UK, 2007, ISBN 978-0-470-85290-3
M.A. Herman, W. Richter and H. Sitter, Epitaxy - Physical Principles and Technical Implementation, Springer, Berlin, Germany, 2004, pp. 63-72, ISBN 978-3-642-08737-0
H.L. Bhat, Introduction to Crystal Growth Principles and Practice, CRC, Boca Raton, FL, 2015, pp. 269-275, ISBN 978-1-4398-8330-3

הערות שוליים

^ H. Nelson, Epitaxial growth from the liquid state and its application to the fabrication of tunnel and laser diodes, RCA Review 24, 1963, עמ' 603
^ M.B. Panish, I. Hayashi, and S. Sumsk, A Technique for the Preparation of Low-Threshold Room Temperature GaAs Laser Diode Structures, IEEE. Journal of Quantum Electronics 5 (4), 1969, עמ' 210-211
^ ¹ ² ³ ⁴ ⁵ M.G. Mauk, 6 - Liquid-Phase Epitaxy, Handbook of Crystal Growth (Second Edition) Thin Films and Epitaxy, 2015, עמ' 225-316
^ ¹ ² HANS J. SCHEEL, Introduction to Liquid Phase Epitaxy, in Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials Edited by P. Capper and M. Mauk John Wiley & Sons,, 2007, Chap. 1
^ J.J. Hsieh, Thickness and surface morphology of GaAs LPE layers grown by supercooling, step-cooling, equilibrium-cooling, and two-phase solution techniques, Journal of Crystal Growth 27, 1974, עמ' 49-61
^ ¹ ² ³ Udo W. Pohl, Epitaxy of Semiconductors: Physics and Fabrication of Heterostructures, Berlin, Germany: Springer, 2020, עמ' 428-439
^ P. Capper, Liquid Phase Epitaxy of MCT in Mercury Cadmium Telluride - Growth, Properties and Applications, P. Capper and J. Garland Eds. Chap. 5, Chichester, UK: John Wiley and Sons, 2011, עמ' 63-72
^ S. Kasap, Peter Capper (Eds.), Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, ISBN 978-3-319-48931-5, DOI 10.1007/978-3-319-48933-9, Springer, 2017, עמ' 349-353
^ Dirk Ehrentraut et al., Fabrication of homoepitaxial ZnO films by low-temperature liquid-phase epitaxy, Journal of Crystal Growth 287 (2), 2006, עמ' 367-371

[1] H. Nelson, Epitaxial growth from the liquid state and its application to the fabrication of tunnel and laser diodes, RCA Review 24, 1963, עמ' 603

[2] M.B. Panish, I. Hayashi, and S. Sumsk, A Technique for the Preparation of Low-Threshold Room Temperature GaAs Laser Diode Structures, IEEE. Journal of Quantum Electronics 5 (4), 1969, עמ' 210-211

[:1-3] ¹ ² ³ ⁴ ⁵ M.G. Mauk, 6 - Liquid-Phase Epitaxy, Handbook of Crystal Growth (Second Edition) Thin Films and Epitaxy, 2015, עמ' 225-316

[:0-4] ¹ ² HANS J. SCHEEL, Introduction to Liquid Phase Epitaxy, in Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials Edited by P. Capper and M. Mauk John Wiley & Sons,, 2007, Chap. 1

[5] J.J. Hsieh, Thickness and surface morphology of GaAs LPE layers grown by supercooling, step-cooling, equilibrium-cooling, and two-phase solution techniques, Journal of Crystal Growth 27, 1974, עמ' 49-61

[:2-6] ¹ ² ³ Udo W. Pohl, Epitaxy of Semiconductors: Physics and Fabrication of Heterostructures, Berlin, Germany: Springer, 2020, עמ' 428-439

[7] P. Capper, Liquid Phase Epitaxy of MCT in Mercury Cadmium Telluride - Growth, Properties and Applications, P. Capper and J. Garland Eds. Chap. 5, Chichester, UK: John Wiley and Sons, 2011, עמ' 63-72

[8] S. Kasap, Peter Capper (Eds.), Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, ISBN 978-3-319-48931-5, DOI 10.1007/978-3-319-48933-9, Springer, 2017, עמ' 349-353

[9] Dirk Ehrentraut et al., Fabrication of homoepitaxial ZnO films by low-temperature liquid-phase epitaxy, Journal of Crystal Growth 287 (2), 2006, עמ' 367-371

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

@@ שורה 2: / שורה 2: @@
 == היסטוריה ==
-גידול ה-LPE הראשון של {{קישור שפה|2=Semiconductor device|3=התקני מוליכים למחצה}} מ{{קישור שפה|2=Category:III-V compounds|3=משפחת החומרים III-V}} בוצע ב-1963 על ידי ה. נלסון (Nelson) ממעבדות [[RCA]] [[פרינסטון (ניו ג'רזי)|בפרינסטון]], [[ניו ג'רזי|ניו-ג'רזי]].<ref>{{צ-מאמר|מחבר=H. Nelson|שם=Epitaxial growth from the liquid state and its application to the fabrication of tunnel and laser diodes|כתב עת=RCA Review|כרך=24|שנת הוצאה=1963|עמ=603|קישור=https://www.worldradiohistory.com/ARCHIVE-RCA/RCA-Review/RCA-Review-1963-12.pdf}}</ref> נלסון גידל במערכת הטיה התקני [[צומת PN|צומת p-n]] ב-[[גליום ארסניד|GaAs]] ל[[לייזר|לייזרים]] ול{{קישור שפה|2=Tunnel diode|3=דיודות מינהור}} על ידי שימוש בתמיסת GaAs ב[[בדיל]] לגידול שכבת GaAs מסוג n על מצע GaAs מסוג p. הוא פיתח גם את היכולת לגדל שכבות [[אילוח (מוליכים למחצה)|מסוממות]] n או p מתמיסות של GaAs ב[[גליום]] עם תוספת קטנה של [[טלור]]יום או [[אבץ]], בהתאמה. ב-1969 פיתחו חוקרים ב[[מעבדות בל]] בניו-ג'רזי את שיטת הסרגל לגידול GaAs לאותם צרכים.<ref>{{צ-מאמר|מחבר=M.B. Panish, I. Hayashi, and S. Sumsk|שם=A Technique for the Preparation of Low-Threshold Room Temperature GaAs Laser Diode Structures|כתב עת=IEEE. Journal of Quantum Electronics|כרך=5 (4)|שנת הוצאה=1969|עמ=210-211|קישור=https://ieeexplore.ieee.org/document/1075757}}</ref>
+גידול ה-LPE הראשון של {{קישור שפה|2=Semiconductor device|3=התקני מוליכים למחצה}} מ{{קישור שפה|2=Category:III-V compounds|3=משפחת החומרים III-V}} בוצע ב-1963 על ידי ה. נלסון (Nelson) ממעבדות [[RCA]] [[פרינסטון (ניו ג'רזי)|בפרינסטון]], [[ניו ג'רזי|ניו-ג'רזי]].<ref>{{צ-מאמר|מחבר=H. Nelson|שם=Epitaxial growth from the liquid state and its application to the fabrication of tunnel and laser diodes|כתב עת=RCA Review|כרך=24|שנת הוצאה=1963|עמ=603|קישור=https://www.worldradiohistory.com/ARCHIVE-RCA/RCA-Review/RCA-Review-1963-12.pdf}}</ref> נלסון גידל במערכת הטיה התקני [[צומת PN|צומת p-n]] ב-[[גליום ארסניד|GaAs]] ל[[לייזר]]ים ול{{קישור שפה|2=Tunnel diode|3=דיודות מינהור}} על ידי שימוש בתמיסת GaAs ב[[בדיל]] לגידול שכבת GaAs מסוג n על מצע GaAs מסוג p. הוא פיתח גם את היכולת לגדל שכבות [[אילוח (מוליכים למחצה)|מסוממות]] n או p מתמיסות של GaAs ב[[גליום]] עם תוספת קטנה של [[טלור]]יום או [[אבץ]], בהתאמה. ב-1969 פיתחו חוקרים ב[[מעבדות בל]] בניו-ג'רזי את שיטת הסרגל לגידול GaAs לאותם צרכים.<ref>{{צ-מאמר|מחבר=M.B. Panish, I. Hayashi, and S. Sumsk|שם=A Technique for the Preparation of Low-Threshold Room Temperature GaAs Laser Diode Structures|כתב עת=IEEE. Journal of Quantum Electronics|כרך=5 (4)|שנת הוצאה=1969|עמ=210-211|קישור=https://ieeexplore.ieee.org/document/1075757}}</ref>
 במהלך [[שנות ה-70 של המאה ה-20]], לפני שבשלו טכניקות האפיטקסיה החדשניות של {{קישור שפה|2=molecular beam epitaxy|3=אפיטקסיית קרן מולקולרית}} (MBE) ו{{קישור שפה|2=Metalorganic vapour-phase epitaxy|3=אפיקטסיה מהאדים באמצעות מטלו-אורגנים}} (MOVPE או MOCVD), ועקב מוגבלות שיטות [[האפיטקסיה מהפאזה הגזית]] שהיו קיימות אז ([[Hydride vapour phase epitaxy (HVPE)]] <small>(אנ') ו-[[Halogen vapor phase epitaxy]])</small>, הפכה LPE לשיטה המעודפת לגידול [[סגסוגת|סגסוגות]] מכילות [[אלומיניום]], כמו {{קישור שפה|2=Aluminium gallium arsenide|3=AlGaAs}}, או [[זרחן]], כמו {{קישור שפה|2=Indium gallium arsenide phosphide|3=InGaAsP}}, עבור מימוש [[LED|דיודות פולטות אור]] (LEDs) ו[[לייזר דיודה|דיודות לייזר]] (LDs) לצעדי הפיתוח הראשונים של [[תקשורת אופטית]] מבוססת מוליכים למחצה ועבור טכנולוגית ה[[מיקרוגל]]ים.<ref name=":1">{{צ-מאמר|מחבר=M.G. Mauk|שם=6 - Liquid-Phase Epitaxy|כתב עת=Handbook of Crystal Growth (Second Edition) Thin Films and Epitaxy|שנת הוצאה=2015|עמ=225-316|קישור=http://dx.doi.org/10.1016/B978-0-444-63304-0.00006-8}}</ref>
@@ שורה 15: / שורה 15: @@
 [[קובץ:Schematic composition-temperature-time diagrams for LPE growth of GaAs..png|טקסט=Schematic composition-temperature-time diagrams for LPE growth of GaAs.|ממוזער|דיאגרמות הרכב-טמפרטורה-זמן סכמתיות עבור גידול LPE של GaAs. משמאל למעלה: תיאור סכמתי של דיאגרמת הפאזות נוזל-מוצק של GaAs. משמאל למטה: הגדלה של הריבוע האדום – החלק מדיאגרמת הפאזות הרלוונטי ל‑LPE בקירור יתר מטמפרטורת ההומגניזציה (''T''<sub>h</sub>) ל-''T''<sub>SC</sub>, היכן שהפאזות בשיווי משקל הן תמיסה נוזלית בהרכב ''x''<sub>sce</sub> ו-GaAs (הרכב: ''x''<sub>s</sub>=50% As) מוצק המתגרען כשכבה אפיטקסיאלית על המצע. אינדקס תחתון (מ) מציין מוצק, ואינדקס תחתון (נ) מציין נוזל. ''m'' הוא שיפוע עקום הליקווידוס. מימין: פרופילים שונים של טמפרטורה הנהוגים ב-LPE: למעלה – "קירור מדרגה", באמצע – "קירור משופע", ולמטה – "קירור יתר". קפיצת המדרגה בפרופילים העליון והתחתון היא Δ''T''<sub>sc</sub> מעלות; קצב הקירור במהלך הגידול בפרופילים האמצעי והתחתון הוא ''α'' מעלות לדקה.]]
 תהליך הגידול ב-LPE קרוב מאוד לשיווי משקל,<ref name=":0">{{צ-מאמר|מחבר=HANS J. SCHEEL|שם=Introduction to Liquid Phase Epitaxy|כתב עת=in Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials Edited by P. Capper and M. Mauk|כרך=John Wiley & Sons,, 2007, Chap. 1|קישור=https://www.wiley.com/en-us/Liquid+Phase+Epitaxy+of+Electronic,+Optical+and+Optoelectronic+Materials-p-9780470852903}}</ref> כך שהרכב התמיסה הרצוי להשגת מוצק בהרכב הנדרש נקבע מתוך [[דיאגרמת פאזות|דיאגרמת הפאזות]] המתאימה. תנאי הגידול ב-LPE הם כאלו שקצב הגידול מוגבל על ידי [[פעפוע|דיפוזיה]] של המומס מהתמיסה אל הממשק תמיסה-מצע, היכן שהוא מתגבש למוצק האפיטקסיאלי. מגבלה זו ביחד עם פרופיל הטמפרטורה המיושם במהלך הגידול קובעים איך גדל עובי השכבה (''d'') עם הזמן (''t''). מבחינים בין שלושה מהלכים תרמיים כאלו (בכולם מניחים שעובי השכבה קטן יחסית לעובי תמיסת הגידול - "קירוב השכבה הדקה"):<ref>{{צ-מאמר|מחבר=J.J. Hsieh|שם=Thickness and surface morphology of GaAs LPE layers grown by supercooling, step-cooling, equilibrium-cooling, and two-phase solution techniques|כתב עת=Journal of Crystal Growth|כרך=27|שנת הוצאה=1974|עמ=49-61|קישור=https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024874800497}}</ref>
-* '''פרופיל קירור מדרגה (step-cooled growth)''': לאחר שלב החימום של התמיסה מייצבים את הטמפרטורה (על ''T''<sub>h</sub> באיור) לצורך הומוגנזיציה, כך שמתקבל ריכוז אחיד של המומס, ''x''<sub>eh</sub>, בתמיסת הגידול. ערך זה הוא ריכוז שיווי המשקל המתאים לטמפרטורת הליקוידוס ''T''<sub>h</sub> הזו. להתחלת הגידול מונמכת הטמפרטורה בקפיצה של Δ''T''<sub>sc</sub> מעלות ל-''T''<sub>sc</sub> (כמוראה באיור). ריכוז שיווי המשקל משתנה ל-''x''<sub>esc</sub>, הניתן על ידי עקום הליקווידוס בטמפרטורה ''T''<sub>esc</sub>. ריכוז זה נמוך מהריכוז שעדיין קיים בתמיסה, ''x''<sub>eh</sub>. לכן התמיסה נמצאת ב[[רוויית יתר|על-רוויה]] (סופרסטורציה), כלומר ב[[קירור-על|קירור יתר]]. בגלל הפרש הטמפרטורה הקטן, Δ''T''<sub>sc</sub>, המיושם ב‑LPE עקום הליקווידוס ליניארי עם הטמפרטורה, ושיפועו: ''m.'' בתנאים אלו גדל עובי השכבה עם משך הגידול בצורה הבאה: <math>d_{super-cool.} = {\operatorname{2\Delta}\!T_{sc}\over\operatorname{m}\!x_s}\sqrt{{D\over \pi}}t^{1/2}</math>. במשוואה זו ''x''<sub>s</sub> הוא הריכוז במוצק, שנקבע על ידי עקום {{קישור שפה|2=Liquidus and solidus|3=הסולידוס}}, ו-''D'' הוא {{קישור שפה|2=Mass diffusivity|3=מקדם הדיפוזיה}} של [[מומס|המומס]] בתמיסת הגידול.
+* '''פרופיל קירור מדרגה (step-cooled growth)''': לאחר שלב החימום של התמיסה מייצבים את הטמפרטורה (על ''T''<sub>h</sub> באיור) לצורך הומוגנזיציה, כך שמתקבל ריכוז אחיד של המומס, ''x''<sub>eh</sub>, בתמיסת הגידול. ערך זה הוא ריכוז שיווי המשקל המתאים לטמפרטורת הליקוידוס ''T''<sub>h</sub> הזו. להתחלת הגידול מונמכת הטמפרטורה בקפיצה של Δ''T''<sub>sc</sub> מעלות ל-''T''<sub>sc</sub> (כמוראה באיור). ריכוז שיווי המשקל משתנה ל-''x''<sub>esc</sub>, הניתן על ידי עקום הליקווידוס בטמפרטורה ''T''<sub>esc</sub>. ריכוז זה נמוך מהריכוז שעדיין קיים בתמיסה, ''x''<sub>eh</sub>. לכן התמיסה נמצאת ב[[רוויית יתר|על-רוויה]] (סופרסטורציה), כלומר ב[[קירור-על|קירור יתר]]. בגלל הפרש הטמפרטורה הקטן, Δ''T''<sub>sc</sub>, המיושם ב‑LPE עקום הליקווידוס ליניארי עם הטמפרטורה, ושיפועו: ''m.'' בתנאים אלו גדל עובי השכבה עם משך הגידול בצורה הבאה: <math>d_{super-cool.} = {\operatorname{2\Delta}\!T_{sc}\over\operatorname{m}\!x_s}\sqrt{{D\over \pi}}t^{1/2}</math>. במשוואה זו ''x''<sub>s</sub> הוא הריכוז במוצק, שנקבע על ידי עקום {{קישור שפה|2=Liquidus and solidus|3=הסולידוס}}, ו-''D'' הוא {{קישור שפה|2=Mass diffusivity|3=מקדם הדיפוזיה}} של ה[[מומס]] בתמיסת הגידול.
 * '''פרופיל קירור משופע (ramp-cooling growth)''': במקרה זה, כבקודם, מתחיל התהליך בשלב הומוגניזציה בטמפרטורה ''T''<sub>h</sub> הגורם שוב לריכוז שיווי משקל ''x''<sub>eh</sub> בתמיסת הגידול. בתום שלב זה לא מיישמים בפרופיל זה קפיצת טמפרטורה מטה, אלא מורידים את הטמפרטורה בהדרגה בקצב קבוע ''α'', כך שמתקיים: ''T''(''t'') = ''T<sub>h</sub>'' - ''αt''. אם אינטרוול הקירור הכולל קטן, אז עדיין השיפוע של עקום הליקווידוס, ''m'', כמעט קבוע, והרכב שיווי המשקל על עקום הליקווידוס הוא פונקציה ליניארית של הטמפרטורה. עבור תנאים אלו מקבלים שעובי השכבה משתנה עם הזמן על פי:
 <math>d_{ramp-cool.} = {4\alpha \over 3mx_s}\sqrt{{D\over \pi}}t^{3/2}</math>.
@@ שורה 24: / שורה 24: @@
 == סוגי המערכות לגידול LPE ==
 ללא קשר לפרופיל הטמפרטורה המיושם ב-LPE, קיימות בה מספר טכניקות של גידול:<ref name=":2">{{צ-ספר|מחבר=Udo W. Pohl|שם=Epitaxy of Semiconductors: Physics and Fabrication of Heterostructures|מקום הוצאה=Berlin, Germany|מו"ל=Springer|שנת הוצאה=2020|עמ=428-439}}</ref>
-* [[קובץ:LPE - Tipping & Rotating-Tipping.png|טקסט=Schematic description of LPE growth stages in a tipping system (top) and a rotating-tipping system (bottom)|ממוזער|תיאור סכמתי של הרכיבים העיקריים במערכת הגידול, ושל שלבי הגידול ב-LPE בשיטת ההטיה (tipping, למעלה) ובשיטת ההטיה-הסיבובית (rotating-tipping, למטה). ריאקטור הקוורץ נמצא בתנור חימום שאינו מוראה באיור.]]'''שיטת ההטיה (tipping)''': לתוך סירה מחומר אינרטי ([[גרפיט]], בדרך כלל) מכניסים בצד אחד את המצע ובצד השני את תמיסת הגידול. הסירה מוכנסת ל[[ריאקטור]] [[קוורץ]] צינורי, המצוי בתנור חימום. בתחילה התנור מוטה כך שצד התמיסה נמוך יותר ממצע הגידול. מחממים את התנור להתכת התמיסה, וממתינים להומוגינזציה שלה. בהתאם לפרופיל הגידול מקררים לקירור יתר, אם צריך. כשטמפרטורת התמיסה הגיעה לערך הרצוי, מטים את התנור סביב צירו האופקי הניצב לציר האורך של הסירה, ועל ידי כך "מזרימים" את התמיסה אל המצע, והגידול מתחיל. בסיום הגידול מטים את התנור למצבו ההתחלתי לצורך [[שפייה|שפיית]] התמיסה מהמצע שעליו גדלה השכבה האפיטקסיאלית, ומקררים את התנור, לצורך הוצאת השכבה המגודלת.  אחד החסרונות של השיטה הוא האפשרות לגדל רק על מצע אחד (או מספר קטן של מצעים קטנים). כדי להתגבר על חסרון זה פותחה נגזרת של השיטה שבה ההטיה היא סביב ציר המקביל לציר האורך של הריאקטור: שיטת ההטיה הסיבובית (rotating-tipping). בשיטה זו מטעינים לתוך הריאקטור הצינורי סירה היכולה להכיל מספר רב של מצעים ניצבים לציר האורך של הריאקטור. המחזיק מחובר לדופן הצינור, כך שבהתחלה המצעים נמצאים מעל לתמיסת הגידול. בשלב זה מחממים את התנור להתכה של תמיסת הגידול ולהומוגניזציה שלה, ומתחילים בקירור כנדרש. בשלב המתאים מסובבים את הצינור סביב ציר האורך שלו, כך שכל המצעים נטבלים בתמיסת הגידול, והגידול מתחיל. בסיום הזמן הדרוש מסובבים את הצינור בחזרה למצבו ההתחלתי, כך שהתמיסה מחליקה מפני השטח של השכבות המגודלות באמצעות [[כבידה|כוח הכבידה]], ומקררים את המערכת. לצורך הוצאת השכבות האפיטקסיאליות שגודלו.  לשני הווריאנטים של שיטת ההטיה יש חסרונות בולטים: ניתן לגדל רק סוג אחד של שכבה על כל מצע, סילוק התמיסה מפני השטח האפיטקסיאליים אינו מושלם, כמות התמיסה מוגבלת והיישום החוזר שלה מסובך. עם זאת, היכולת לגדל בפעם אחת על מספר רב של מצעים בשיטת ההטיה-הסיבובית היא יתרון תעשייתי משמעותי.
+* [[קובץ:LPE - Tipping & Rotating-Tipping.png|טקסט=Schematic description of LPE growth stages in a tipping system (top) and a rotating-tipping system (bottom)|ממוזער|תיאור סכמתי של הרכיבים העיקריים במערכת הגידול, ושל שלבי הגידול ב-LPE בשיטת ההטיה (tipping, למעלה) ובשיטת ההטיה-הסיבובית (rotating-tipping, למטה). ריאקטור הקוורץ נמצא בתנור חימום שאינו מוראה באיור.]]'''שיטת ההטיה (tipping)''': לתוך סירה מחומר אינרטי ([[גרפיט]], בדרך כלל) מכניסים בצד אחד את המצע ובצד השני את תמיסת הגידול. הסירה מוכנסת ל[[ריאקטור]] [[קוורץ]] צינורי, המצוי בתנור חימום. בתחילה התנור מוטה כך שצד התמיסה נמוך יותר ממצע הגידול. מחממים את התנור להתכת התמיסה, וממתינים להומוגינזציה שלה. בהתאם לפרופיל הגידול מקררים לקירור יתר, אם צריך. כשטמפרטורת התמיסה הגיעה לערך הרצוי, מטים את התנור סביב צירו האופקי הניצב לציר האורך של הסירה, ועל ידי כך "מזרימים" את התמיסה אל המצע, והגידול מתחיל. בסיום הגידול מטים את התנור למצבו ההתחלתי לצורך [[שפייה|שפיית]] התמיסה מהמצע שעליו גדלה השכבה האפיטקסיאלית, ומקררים את התנור, לצורך הוצאת השכבה המגודלת. אחד החסרונות של השיטה הוא האפשרות לגדל רק על מצע אחד (או מספר קטן של מצעים קטנים). כדי להתגבר על חסרון זה פותחה נגזרת של השיטה שבה ההטיה היא סביב ציר המקביל לציר האורך של הריאקטור: שיטת ההטיה הסיבובית (rotating-tipping). בשיטה זו מטעינים לתוך הריאקטור הצינורי סירה היכולה להכיל מספר רב של מצעים ניצבים לציר האורך של הריאקטור. המחזיק מחובר לדופן הצינור, כך שבהתחלה המצעים נמצאים מעל לתמיסת הגידול. בשלב זה מחממים את התנור להתכה של תמיסת הגידול ולהומוגניזציה שלה, ומתחילים בקירור כנדרש. בשלב המתאים מסובבים את הצינור סביב ציר האורך שלו, כך שכל המצעים נטבלים בתמיסת הגידול, והגידול מתחיל. בסיום הזמן הדרוש מסובבים את הצינור בחזרה למצבו ההתחלתי, כך שהתמיסה מחליקה מפני השטח של השכבות המגודלות באמצעות [[כבידה|כוח הכבידה]], ומקררים את המערכת. לצורך הוצאת השכבות האפיטקסיאליות שגודלו. לשני הווריאנטים של שיטת ההטיה יש חסרונות בולטים: ניתן לגדל רק סוג אחד של שכבה על כל מצע, סילוק התמיסה מפני השטח האפיטקסיאליים אינו מושלם, כמות התמיסה מוגבלת והיישום החוזר שלה מסובך. עם זאת, היכולת לגדל בפעם אחת על מספר רב של מצעים בשיטת ההטיה-הסיבובית היא יתרון תעשייתי משמעותי.
-* [[קובץ:LPE - Dipping System.png|טקסט=LPE Dipping System|ממוזער|תיאור סכמתי של הרכיבים העיקריים במערכת הגידול, ושל שלבי גידול LPE בשיטת הטבילה (dipping). ריאקטור הקוורץ נמצא בתנור חימום שאינו מוראה באיור.]]'''שיטת הטבילה (dipping)''': תמיסת הגידול נמצאת בתוך {{קישור שפה|2=Crucible|3=כורית}} המצויה בריאקטור שבתוך תנור. בדרך כלל מוזרם דרך הריאקטור [[מימן]] או [[גז אינרטי]] כדי למנוע [[תגובה כימית|תגובה]] של התמיסה והמצעים עם אווירת החדר. המצע או המצעים מורכבים באמצעות מחזיקים על מוט הסעה וסיבוב, אותו מורידים אנכית לתוך "אמבט" התמיסה להתחלת הגידול, כשטמפרטורת האמבט הגיע לערך הרצוי (עם או בלי קירור יתר). במקרים בהם [[צפיפות החומר|צפיפות]] התמיסה גבוהה יותר מאשר הצפיפות המשוקללת של המצע ומחזיקו, צפים האחרונים על גבי פני הנוזל, בזכות הציר המחבר את המחזיק אל המוט. במהלך הגידול מישמים לעיתים סיבוב של מוט המצעים על מנת להשיג אחידות של הריכוז בתמיסה על ידי פיצוי הבדלי החימום באזורים שונים של הכורית, והבדלי ריכוז בגלל [[קונבקציה|קונבקציות]] בנוזל. בתום הזמן הנדרש להשגת העובי הרצוי של השכבה, מעלים את המוט להוצאת המצעים מן התמיסה. בזכות הציר המחבר את מחזיקי המצעים למוט, הם חוזרים למצב ניצב לקרקע, ושאריות התמיסה ניגרות מפני השטח של המצעים באמצעות כוח הכבידה. אם צפיפות הנוזל נמוכה, מרכיבים מראש את המחזיקים על המוט כך שפני המצעים מקבילים לפני השטח של הנוזל. בהוצאת המצעים בתום הגידול קשה, במקרה זה, לסלק את כל שאריות התמיסה, ולכן מיישמים לעיתים סיבוב מהיר של מוט ההסעה והסיבוב על מנת לסלקן באפקט ה[[צנטריפוגה]].  שיטת הטבילה שימושית בעיקר בגידול שכבות עבות, שכן בגלל הנפח הגדול של התמיסה, ריכוזה כמעט שאינו משתנה בגלל הפרשת מומסים לגידול האפיטקסיאלי. יתרה מכך, אותה תמיסה יכולה לשמש למספר ריצות גידול עוקבות, כך שחוסכים בזמן הנדרש לפריקה, הטענה וחימום של החומר שבכורית. התמיסה נשארת בדרך כלל חמה, כשכל מספר גידולים מוסיפים לה כמויות קטנות של המומסים, על מנת לשמור על ריכוז התמיסה בערך הרצוי. יתרונות נוספים של השיטה הם: האפשרות לגדל על מספר מצעים בו זמנית (אם כי לא גדול כמו בשיטת ההטיה הסיבובית), והאפשרות לשמור את המצעים בטמפרטורה נמוכה יחסית עד להתחלת הגידול עצמו. זה משמעותי בעיקר לחומרים שנוטים להתפרק בחום גבוה כמו תחמוצות. החסרון העיקרי של השיטה נעוץ בכך שאפשר לגדל רק שכבה אחת בהרכב קבוע על כל מצע.
+* [[קובץ:LPE - Dipping System.png|טקסט=LPE Dipping System|ממוזער|תיאור סכמתי של הרכיבים העיקריים במערכת הגידול, ושל שלבי גידול LPE בשיטת הטבילה (dipping). ריאקטור הקוורץ נמצא בתנור חימום שאינו מוראה באיור.]]'''שיטת הטבילה (dipping)''': תמיסת הגידול נמצאת בתוך {{קישור שפה|2=Crucible|3=כורית}} המצויה בריאקטור שבתוך תנור. בדרך כלל מוזרם דרך הריאקטור [[מימן]] או [[גז אינרטי]] כדי למנוע [[תגובה כימית|תגובה]] של התמיסה והמצעים עם אווירת החדר. המצע או המצעים מורכבים באמצעות מחזיקים על מוט הסעה וסיבוב, אותו מורידים אנכית לתוך "אמבט" התמיסה להתחלת הגידול, כשטמפרטורת האמבט הגיע לערך הרצוי (עם או בלי קירור יתר). במקרים בהם [[צפיפות החומר|צפיפות]] התמיסה גבוהה יותר מאשר הצפיפות המשוקללת של המצע ומחזיקו, צפים האחרונים על גבי פני הנוזל, בזכות הציר המחבר את המחזיק אל המוט. במהלך הגידול מישמים לעיתים סיבוב של מוט המצעים על מנת להשיג אחידות של הריכוז בתמיסה על ידי פיצוי הבדלי החימום באזורים שונים של הכורית, והבדלי ריכוז בגלל [[קונבקציה|קונבקציות]] בנוזל. בתום הזמן הנדרש להשגת העובי הרצוי של השכבה, מעלים את המוט להוצאת המצעים מן התמיסה. בזכות הציר המחבר את מחזיקי המצעים למוט, הם חוזרים למצב ניצב לקרקע, ושאריות התמיסה ניגרות מפני השטח של המצעים באמצעות כוח הכבידה. אם צפיפות הנוזל נמוכה, מרכיבים מראש את המחזיקים על המוט כך שפני המצעים מקבילים לפני השטח של הנוזל. בהוצאת המצעים בתום הגידול קשה, במקרה זה, לסלק את כל שאריות התמיסה, ולכן מיישמים לעיתים סיבוב מהיר של מוט ההסעה והסיבוב על מנת לסלקן באפקט ה[[צנטריפוגה]]. שיטת הטבילה שימושית בעיקר בגידול שכבות עבות, שכן בגלל הנפח הגדול של התמיסה, ריכוזה כמעט שאינו משתנה בגלל הפרשת מומסים לגידול האפיטקסיאלי. יתרה מכך, אותה תמיסה יכולה לשמש למספר ריצות גידול עוקבות, כך שחוסכים בזמן הנדרש לפריקה, הטענה וחימום של החומר שבכורית. התמיסה נשארת בדרך כלל חמה, כשכל מספר גידולים מוסיפים לה כמויות קטנות של המומסים, על מנת לשמור על ריכוז התמיסה בערך הרצוי. יתרונות נוספים של השיטה הם: האפשרות לגדל על מספר מצעים בו זמנית (אם כי לא גדול כמו בשיטת ההטיה הסיבובית), והאפשרות לשמור את המצעים בטמפרטורה נמוכה יחסית עד להתחלת הגידול עצמו. זה משמעותי בעיקר לחומרים שנוטים להתפרק בחום גבוה כמו תחמוצות. החסרון העיקרי של השיטה נעוץ בכך שאפשר לגדל רק שכבה אחת בהרכב קבוע על כל מצע.
-* [[קובץ:LPE - Slider Method.png|טקסט=Schematic description of the stages of LPE growth of a structure consisting of two epitaxial layers on wo substrates by the slider method|ממוזער|תיאור סכמתי של סירת הגידול, ושל השלבים בגידול LPE של מבנה דו-שכבתי על שני מצעים נפרדים בשיטת הסרגל (slider method). התנור הנע שבמרכזו עובר ריאקטור קוורץ צינורי ושבו מצויה הסירה אינם מוראים באיור.]] '''שיטת הסרגל (slider)''': המצע (או המצעים) והתמיסה (או התמיסות) מוצבים בשקעים (או חורים) שבתוך חלקים זחיחים - ה"סרגלים". במהלך הגידול הסרגלים מוזזים אופקית האחד ביחס לשני, כדי להביא את התמיסה במגע עם המצע בזמן הנכון לפי פרופיל הטמפרטורה, וכדי לסלקה ממנו בתום הגידול. לגידול מבנה דו-שכבתי על שני מצעים נפרדים, כמו בדוגמה שבאיור, מניחים בשקעים שבסרגל המצעים שני מצעי גידול זהים, ומניחים אותו על בסיס הסירה. על סרגל המצעים מניחים את סרגל הבארות כך שהאזורים האטומים שבו מכסים את המצעים, והבארות עצמן נמצאות משמאל לכל מצע. מכניסים לארבע הבארות את הרכיבים בכמויות המתאימות ליצירת תמיסות גידול בריכוזים המתאימים על פי דיאגרמת הפאזות (או את [[תמיסה מוצקה|תמיסות הגידול המוצקות]] שהוכנו מראש). לבארות הקרובות למצעים מכניסים את התמיסות בהרכב המתאים לגידול השכבה הראשונה במבנה, ואילו לאחרות את התמיסות בהרכב המתאים לגידול השכבה השנייה במבנה. מכסים את הבארות במכסים למניעת [[התאיידות|התנדפות]] רכיבי התמיסה במהלך החימום, מכניסים את הסירה על כל רכיביה לריאקטור הקוורץ הצינורי, סוגרים אותו, ומזרימים דרכו מימן או גז אינרטי. מסיעים את תנור החימום לאורך צינור הקוורץ, כך שמרכזו יחפוף את הסירה, ומתחילים בחימומו. לאחר הזמן הדרוש להתכה של תמיסות הגידול, ולהומוגוניזציה שלהם, מקררים את התמיסה בהתאם לפרופיל הטמפרטורה הרצוי. כשטמפרטורת התמיסה הגיעה לערך שנקבע מראש, מושכים את מוט המשיכה של סרגל הבארות ימינה עד שהבאר הראשונה מתייצבת מעל המצעים. מחכים את הזמן הדרוש להשגת העובי הרצוי של השכבה האפיטקסיאלית הראשונה, ומושכים שוב את סרגל הבארות עד שהאזורים האטומים שבין שני הבארות מכסים את המצעים. באמצעות משיכה זו "נוגבה" תמיסת הגידול מהמצעים. כעת מייצבים את התנור על הטמפרטורה המתאימה לתמיסת הגידול השנייה על פי דיאגרמת הפזות, וממתינים להומוגניזציה. בהתאם לפרופיל הטמפרטורה הנבחר מורידים שוב את הטמפרטורה לערך המתאים, ומשזה הושג מושכים את סרגל הבארות שוב ימינה עד שהבארות של תמיסת הגידול השנייה ניצבות מעל המצעים. בתום הזמן הדרוש, מושכים את סרגל הבארות ימינה, לניגוב התמיסה עד שהמצעים יעמדו מתחת לאזורים האטומים שבין הבארות (אפשר, לחלופין, לדחוף את סרגל הבארות חזרה לעמדה זו, או למשוך אותו כך שהאזורים האטומים שמשמאל לבארות של תמיסת הגידול השנייה יהיו מעל למצעים). כעת מקררים את התנור בקצב שנבחר. בסיום, לצורך קרור מהיר יותר, החשוב בעיקר במקרים של שכבות שרכיביהן נדיפים בטמפרטורות גבוהות, מסיעים את התנור לאורך הריאקטור הצינורי כך שלא יקיף יותר את סירת הגידול.  היתרון הגדול ביותר של שיטת הסרגל על פני שיטות ההטיה והטבילה הוא האפשרות לגדל מבנים המכילים מספר שכבות אפיטקסיאליות זו על גבי זו. לשם כך מכינים בארות ותמיסות כמספר השכבות הרצויות. יתרה מכך, הנעת הסרגלים אחד ביחס לשני בסיום הגידול של כל שכבה, גורם ל"חיתוך" ול"ניגוב" יזום של תמיסת הגידול מהשכבה. יתרון נוסף הוא האפשרות לגדל על יותר ממצע אחד, אך מאחר שהמערכת ליניארית והמצעים אופקיים, מספרם קטן בהרבה מהאפשרי בשיטת ההטיה הסיבובית. החסרון של השיטה הוא הנפח הקטן יחסית של תמיסת הגידול. זה לא מאפשר גידול של שכבות עבות מאוד, כי הרכב התמיסה עלול להשתנות יותר מדי במהלך הגידול, ואיתו ישתנה גם הרכב השכבה. זה מצריך גם החלפת התמיסות עבור כל ריצת גידול.
+* [[קובץ:LPE - Slider Method.png|טקסט=Schematic description of the stages of LPE growth of a structure consisting of two epitaxial layers on wo substrates by the slider method|ממוזער|תיאור סכמתי של סירת הגידול, ושל השלבים בגידול LPE של מבנה דו-שכבתי על שני מצעים נפרדים בשיטת הסרגל (slider method). התנור הנע שבמרכזו עובר ריאקטור קוורץ צינורי ושבו מצויה הסירה אינם מוראים באיור.]] '''שיטת הסרגל (slider)''': המצע (או המצעים) והתמיסה (או התמיסות) מוצבים בשקעים (או חורים) שבתוך חלקים זחיחים - ה"סרגלים". במהלך הגידול הסרגלים מוזזים אופקית האחד ביחס לשני, כדי להביא את התמיסה במגע עם המצע בזמן הנכון לפי פרופיל הטמפרטורה, וכדי לסלקה ממנו בתום הגידול. לגידול מבנה דו-שכבתי על שני מצעים נפרדים, כמו בדוגמה שבאיור, מניחים בשקעים שבסרגל המצעים שני מצעי גידול זהים, ומניחים אותו על בסיס הסירה. על סרגל המצעים מניחים את סרגל הבארות כך שהאזורים האטומים שבו מכסים את המצעים, והבארות עצמן נמצאות משמאל לכל מצע. מכניסים לארבע הבארות את הרכיבים בכמויות המתאימות ליצירת תמיסות גידול בריכוזים המתאימים על פי דיאגרמת הפאזות (או את [[תמיסה מוצקה|תמיסות הגידול המוצקות]] שהוכנו מראש). לבארות הקרובות למצעים מכניסים את התמיסות בהרכב המתאים לגידול השכבה הראשונה במבנה, ואילו לאחרות את התמיסות בהרכב המתאים לגידול השכבה השנייה במבנה. מכסים את הבארות במכסים למניעת [[התאיידות|התנדפות]] רכיבי התמיסה במהלך החימום, מכניסים את הסירה על כל רכיביה לריאקטור הקוורץ הצינורי, סוגרים אותו, ומזרימים דרכו מימן או גז אינרטי. מסיעים את תנור החימום לאורך צינור הקוורץ, כך שמרכזו יחפוף את הסירה, ומתחילים בחימומו. לאחר הזמן הדרוש להתכה של תמיסות הגידול, ולהומוגוניזציה שלהם, מקררים את התמיסה בהתאם לפרופיל הטמפרטורה הרצוי. כשטמפרטורת התמיסה הגיעה לערך שנקבע מראש, מושכים את מוט המשיכה של סרגל הבארות ימינה עד שהבאר הראשונה מתייצבת מעל המצעים. מחכים את הזמן הדרוש להשגת העובי הרצוי של השכבה האפיטקסיאלית הראשונה, ומושכים שוב את סרגל הבארות עד שהאזורים האטומים שבין שני הבארות מכסים את המצעים. באמצעות משיכה זו "נוגבה" תמיסת הגידול מהמצעים. כעת מייצבים את התנור על הטמפרטורה המתאימה לתמיסת הגידול השנייה על פי דיאגרמת הפזות, וממתינים להומוגניזציה. בהתאם לפרופיל הטמפרטורה הנבחר מורידים שוב את הטמפרטורה לערך המתאים, ומשזה הושג מושכים את סרגל הבארות שוב ימינה עד שהבארות של תמיסת הגידול השנייה ניצבות מעל המצעים. בתום הזמן הדרוש, מושכים את סרגל הבארות ימינה, לניגוב התמיסה עד שהמצעים יעמדו מתחת לאזורים האטומים שבין הבארות (אפשר, לחלופין, לדחוף את סרגל הבארות חזרה לעמדה זו, או למשוך אותו כך שהאזורים האטומים שמשמאל לבארות של תמיסת הגידול השנייה יהיו מעל למצעים). כעת מקררים את התנור בקצב שנבחר. בסיום, לצורך קרור מהיר יותר, החשוב בעיקר במקרים של שכבות שרכיביהן נדיפים בטמפרטורות גבוהות, מסיעים את התנור לאורך הריאקטור הצינורי כך שלא יקיף יותר את סירת הגידול. היתרון הגדול ביותר של שיטת הסרגל על פני שיטות ההטיה והטבילה הוא האפשרות לגדל מבנים המכילים מספר שכבות אפיטקסיאליות זו על גבי זו. לשם כך מכינים בארות ותמיסות כמספר השכבות הרצויות. יתרה מכך, הנעת הסרגלים אחד ביחס לשני בסיום הגידול של כל שכבה, גורם ל"חיתוך" ול"ניגוב" יזום של תמיסת הגידול מהשכבה. יתרון נוסף הוא האפשרות לגדל על יותר ממצע אחד, אך מאחר שהמערכת ליניארית והמצעים אופקיים, מספרם קטן בהרבה מהאפשרי בשיטת ההטיה הסיבובית. החסרון של השיטה הוא הנפח הקטן יחסית של תמיסת הגידול. זה לא מאפשר גידול של שכבות עבות מאוד, כי הרכב התמיסה עלול להשתנות יותר מדי במהלך הגידול, ואיתו ישתנה גם הרכב השכבה. זה מצריך גם החלפת התמיסות עבור כל ריצת גידול.
 == יישומים ==
-בשיטת ה-LPE משתמשים באפיטקסיה של מוליכים למחצה מרוכבים (compound semiconductors), בעיקר כשהגידול שלהם באחת משיטות ה[[אפיטקסיה מהפאזה הגזית]] קשה בגלל [[לחץ חלקי|לחצים חלקיים]] שונים מאוד של הרכיבים הבודדים; וכן כאשר נדרש [[ייצור המוני]] במחיר שאינו גבוה. LPE משמשת, למשל, לייצור בקנה מידה גדול של דיודות פולטות אור (LEDs) מבוססות GaAs ו-{{קישור שפה|2=Gallium phosphide|3=GaP}}, כמו גם לאפיטקסיה של סגסוגות של {{קישור שפה|2=Mercury cadmium telluride|3=HgCdTe}} בהרכבים שונים לצורך מימוש [[גלאי תת-אדום פסיבי|גלאי תת-אדום]].<ref>{{צ-ספר|מחבר=P. Capper|שם=Liquid Phase Epitaxy of MCT in Mercury Cadmium Telluride - Growth, Properties and Applications, P. Capper and J. Garland Eds. Chap. 5|מקום הוצאה=Chichester, UK|מו"ל=John Wiley and Sons|שנת הוצאה=2011|עמ=63-72}}</ref><ref>{{צ-ספר|מחבר=S. Kasap, Peter Capper (Eds.)|שם=Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, ISBN: 978-3-319-48931-5, DOI 10.1007/978-3-319-48933-9|מו"ל=Springer|שנת הוצאה=2017|עמ=349-353}}</ref> משתמשים ב-LPE כדי לגדל שכבות של [[צורן קרביד|SiC]] ושל {{קישור שפה|2=Nitride|3=ניטרידים}} של מתכות מהמשפחה III-V כמצעים "וירטואליים" לגידול מבנים של ניטרידים בשיטות אפיטקסיה אחרות.<ref name=":1" /> כמו כן, משתמשים ב-LPE ביצור שכבות מגנטו-אופטיות.<ref name=":2" />
+בשיטת ה-LPE משתמשים באפיטקסיה של מוליכים למחצה מרוכבים (compound semiconductors), בעיקר כשהגידול שלהם באחת משיטות ה[[אפיטקסיה מהפאזה הגזית]] קשה בגלל [[לחץ חלקי|לחצים חלקיים]] שונים מאוד של הרכיבים הבודדים; וכן כאשר נדרש [[ייצור המוני]] במחיר שאינו גבוה. LPE משמשת, למשל, לייצור בקנה מידה גדול של דיודות פולטות אור (LEDs) מבוססות GaAs ו-{{קישור שפה|2=Gallium phosphide|3=GaP}}, כמו גם לאפיטקסיה של סגסוגות של {{קישור שפה|2=Mercury cadmium telluride|3=HgCdTe}} בהרכבים שונים לצורך מימוש [[גלאי תת-אדום פסיבי|גלאי תת-אדום]].<ref>{{צ-ספר|מחבר=P. Capper|שם=Liquid Phase Epitaxy of MCT in Mercury Cadmium Telluride - Growth, Properties and Applications, P. Capper and J. Garland Eds. Chap. 5|מקום הוצאה=Chichester, UK|מו"ל=John Wiley and Sons|שנת הוצאה=2011|עמ=63-72}}</ref><ref>{{צ-ספר|מחבר=S. Kasap, Peter Capper (Eds.)|שם=Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, {{מסת"ב|978-3-319-48931-5|אנגלית=כן}}, DOI 10.1007/978-3-319-48933-9|מו"ל=Springer|שנת הוצאה=2017|עמ=349-353}}</ref> משתמשים ב-LPE כדי לגדל שכבות של [[צורן קרביד|SiC]] ושל {{קישור שפה|2=Nitride|3=ניטרידים}} של מתכות מהמשפחה III-V כמצעים "וירטואליים" לגידול מבנים של ניטרידים בשיטות אפיטקסיה אחרות.<ref name=":1" /> כמו כן, משתמשים ב-LPE ביצור שכבות מגנטו-אופטיות.<ref name=":2" />
 השימוש ב-LPE עבור [[מוליך למחצה|מוליכים למחצה]] של [[יסוד כימי|יסודות]] כמו [[צורן|סיליקון]], שכיח פחות, שכן הממיסים האפשריים הם בדיל, [[אלומיניום]] וגליום, כולם מסממים בחומרים מ[[קבוצה (כימיה)|קבוצה IV]] ב[[הטבלה המחזורית|טבלה המחזורית]]. עם זאת, נעשה שימוש ב-LPE בגידול שכבות ל[[תא סולרי|תאים סולריים]] זולים מבוססי סיליקון.<ref name=":1" />